三星7nm EUV工藝下半年量產2021年推3nm GAA工藝

三星7nm EUV工藝下半年量產2021年推3nm GAA工藝

三星前不久發布的2018年Q4季度財報指引顯示三星當季盈利會大幅下滑,同比跌減少9%,環比減少38.5%,而盈利暴跌的主要原因就是三星智能手機業務低迷,還有最關鍵的存儲芯片降價,這個趨勢會一直持續到今年上半年。

為了彌補存儲芯片降價週期帶來的影響,三星早就開始強化代工業務了,要赶超台積電,而這就要跟後者搶先進工藝量產時間了。根據三星高管所說,他們今年下半年會量產7nm EUV工藝,2021年則會量產更先進的3nm GAA工藝。

Tomshardware 報導,三星晶圓代工業務市場副總Ryan Sanghyun Lee表示三星從2002年以來一直在GAA( Gate-All-Around)技術,通過使用納米片設備製造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效應管),該技術可以顯著增強晶體管性能。

根據他的消息,三星將在2021年量產3nm GAA工藝。

去年底,三星宣布將在2020年使用4nm GAA工藝。業內觀察人士,如Garner副總裁Samuel Wang對2022年之前量產GAA技術表示懷疑,不過他現在也說三星看起來可能比預期更早地將GAA芯片投入生產。

只不過三星關於3nm GAA工藝何時量產的說法似乎並沒有一個統一的表態,三星晶圓代工業務負責人Eun Seung Jung去年12月在IEDM會議上表示三星已經完成了3nm工藝技術的性能驗證,並且在進一步完善該工藝,目標是在2020年大規模量產。

3nm GAA工藝不論是在2020年還是2021年量產,現在都還有點遠,三星今年主推的是7nm EUV工藝,預計今年下半年量產——儘管三星去年就宣布7nm EUV工藝能夠量產了,實際上之前所說的量產只是風險試產,遠沒有達到規模量產的底部,今年底量產才是有可能的。

在7nm EUV工藝上,台積電之前也宣布今年量產,看起來三星的進度優勢也沒有了,不過三星在7nm EUV工藝上有自己開發的光罩檢查工具,而其他家還沒有類似的商業工具。

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