三星電子堅決否認有關其高頻寬儲存（HBM）產品未能達到英偉達品質標準的通報。該報告列舉了發熱和功耗過高等問題，並聲稱三星的HBM產品尚未通過英偉達的嚴格測試。三星電子在聲明中駁斥了這些說法，並表示「正在與全球各合作夥伴順利進行HBM供應測試」。該公司強調，正在“與多家公司密切合作，不斷測試技術和性能”，以確保其產品的品質和可靠性。

HBM技術透過垂直堆疊多個DRAM晶片來顯著提高資料處理速度，隨著人工智慧（AI）市場的快速成長變得越來越重要。 HBM需求激增，三星電子和SK海力士陷入激烈的市場主導地位爭奪戰。

儘管三星在儲存半導體產業歷來處於領先地位，但其在HBM領域處於下風，這種情況促使該公司內部發生重大策略轉變。

為了應對這些競爭壓力，三星最近更換了負責監管半導體業務的設備解決方案（DS）部門的負責人。

此次領導層變動凸顯了三星重新在HBM市場站穩腳步的承諾。今年4月，三星開始量產其第五代HBM產品8層HBM3E，並計劃在今年第二季度開始量產業界首款12層HBM3E產品。

三星電子重申了對品質和可靠性的承諾。該公司表示：“我們正在努力提高所有產品的品質和可靠性。我們正在嚴格測試HBM產品的品質和性能，以便為客戶提供最佳的解決方案。”

儘管有這些保證，一些市場分析師仍然對三星在短期內縮小與其競爭對手差距的能力持懷疑態度。