三星一直走在DRAM 和UFS 儲存技術的前沿，根據最新的路線圖，該公司正在開發下一階段的超快速高效儲存技術，即UFS 5.0 標準。遺憾的是，詳細資料顯示，我們不應該在2027 年之前期待這項技術，因為大量的改進正在等待UFS 4.0 標準的出現。

隨著時間的推移，對儲存的要求也會逐漸提高，而現在，隨著人工智慧的介入，公司在開發能夠原生運行大型語言模型（LLM）的組件方面面臨更大的壓力。三星正在推動儲存技術的發展，Revegnus在X 上分享的一張圖片顯示，UFS 5.0 目前正在開發中，但預計不會在2027 年之前推出。這是否意味著這家製造商將在與競爭對手的競爭中失去優勢？

也不盡然，因為據說三星還在開發更先進的UFS 4.0 儲存晶片，它將讓效能再上一個平台。據說UFS 5.0 的最大理論頻寬可達10GB/s，而UFS 4.0 的4 頻道限制速度可達8GB/s。三星將在2025 年推出這更快版本的UFS 4.0。未來，Android智慧型手機可能必須使用20GB 記憶體來運行裝置上的LLM，但同樣重要的是，裝置必須配備能以驚人速度處理資料的儲存晶片。

英偉達（NVIDIA）的Blackwell GPU 架構就是這樣一個例子，其頻寬達8TB/s。未來，運行裝置上的LLM 可能會佔用智慧型手機現有儲存空間的15%左右，因此除了更大容量的晶片外，三星先前還被報導正在開發一種特殊的UFS 4.0 標準，這種標準將在在不引入效能瓶頸的情況下對運行AI 操作進行最佳化。可惜的是，該公司尚未推出這些晶片，因此我們雖然等不到UFS 5.0 的到來，但仍需等待更快的UFS 4.0 版本先推出。