本週，ASML交付了第三代極紫外線(EUV) 微影工具Twinscan NXE:3800E，其投影鏡頭的數值孔徑為0.33。與現有的Twinscan NXE:3600D 機器相比，該系統顯著提高了效能。它專為製造採用前沿技術的晶片而設計，包括未來幾年的3nm、2nm 和小節點。

ASML Twinscan NXE:3800E代表了低數值孔徑EUV微影技術在性能（每小時處理的晶圓數量）和匹配的加工覆蓋方面的飛躍。新系統每小時可在30 mJ/cm^2 劑量下處理超過195 個晶圓，並有望透過吞吐量升級將性能進一步提高至220 wph。此外，新工具還提供小於1.1 nm 的匹配機器覆蓋（晶圓對準精度）。

ASML 在X 上發布的聲明中透露：「晶片製造商需要速度。第一台Twinscan NXE:3800E 現已安裝在晶片工廠中。憑藉其新的晶圓台，該系統將為列印先進晶片技術提供領先的生產力。」我們正在將光刻技術推向新的極限。」

在為邏輯製造商生產採用4nm/5nm和3nm 級製程技術的晶片時，吞吐量的增加將提高Twinscan NXE:3800E 機器的經濟效益。ASML Twinscan NXE:3800E 的性能改進預計將顯著緩解EUV 技術的主要缺點之一，即性能相對較低，從而實現更高效、更具成本效益的晶片生產。這將使依賴EUV 的製程技術更容易被預算不像蘋果、AMD、英特爾、英偉達和高通那樣龐大的晶片設計者所接受。此外，該工具對於美光、三星和SK 海力士等記憶體製造商也至關重要。

此外，Twinscan NXE:3800E 的增強性能對於採用2nm 以及需要EUV 雙圖案化的後續製造技術製造晶片特別有用。匹配機器覆蓋層的改進將有利於3nm 以下生產節點。

（圖片來源：ASML）

然而，像NXE:3800E 這樣的機器的複雜性和功能的代價是高昂的成本，每台的價格約為1.8 億美元。如此高的成本意味著這些光刻工具的成本需要一段時間才能折舊。然而，對於ASML 的客戶（包括一組精選的重要邏輯和記憶體製造公司）來說，NXE:3800E 提供了一條增強其尖端晶片生產能力的途徑。這對這些公司來說至關重要，因為他們努力滿足全球對半導體不斷增長的需求，擴大生產能力並管理晶片製造的經濟性。引入NXE:3800E 等更先進、更有效率的EUV 掃描儀對於實現這些目標至關重要。

展望未來，ASML並未滿足於現狀，計劃以Twinscan NXE:4000F 的形式進行進一步創新，這是另一代低數值孔徑EUV 掃描儀，預計於2026 年左右發布。這項持續開發強調了ASML 致力於推進低數值孔徑的承諾-NA EUV 製造技術，儘管即將採用高數值孔徑光刻工具。