AMD 的3D V-Cache 技術利用堆疊在CPU 核心所在的CPU 邏輯晶片頂部的SRAM 區塊，允許處理器存取大量快取池以進行應用。不過，將這種額外的三級（L3）快取用作記憶體盤似乎也是可行的，L3 SRAM 的行為類似於儲存驅動器，不過測試中只有將L3 暴露在CrystalDiskMark 基準下才有可能做到這一點，而現實世界中的應用程式則無法以CrystalDiskMark 的方式做到這一點。

根據X/Twitter 用戶Nemez（@GPUsAreMagic）的說法，複製此程式的步驟如下： 取得帶有3D V-Cache 的AMD Ryzen CPU，安裝OSFMount 並創建一個FAT32 格式的RAM 磁盤，然後運行CrystalDiskMark，將值設定為SEQ 256 KB、佇列深度1、線程16，資料填入0 而非隨機。

實驗結果看起來相當驚人，因為L3 SRAM 的特性是記憶體很小，但速度非常快，CPU 可以訪問，因此它可以在進入系統RAM 之前幫助本地載入資料。使用AMD Ryzen 7 5800X3D，此記憶體碟的讀取速度超過182 GB/s，寫入速度超過175 GB/s。在阿爾伯特-托馬斯（@ultrawide219）分享的另一項測試中，我們看到了基於AMD Ryzen 7800X3D V-Cache 的RAM 磁盤，讀取速度超過178 GB/s，寫入速度超過163 GB/s，得分稍低。同樣，CrystalDiskMark 僅在16 MiB 和32 MiB 之間的小分配上進行了這些測試，因此實際工作負載還無法使用這些測試。