根據TrendForce集邦諮詢最新HBM市場研究顯示，為了更妥善且健全的供應鏈管理，英偉達正規劃加入更多的HBM供應商。其中，三星的HBM3（24GB）預期今年12月在NVIDIA完成驗證。之前英偉達的HBM由SK海力士獨家供應，如今三星、美光都將加入。這也意味著，三家儲存龍頭都將為英偉達供應HBM。

而HBM3e進度依據時間軸排列如下表所示：

美光已於今年7月底提供8hi（24GB）NVIDIA樣品、SK海力士已於今年8月提供8hi（24GB）樣品，三星則於今年10月初提供8hi（24GB）樣品。預期2024年第一季度完成HBM3e產品驗證。

HBM（High Bandwidth Memory）即高頻寬記憶體，屬於圖形DDR記憶體的一種，透過使用先進的封裝方法（如TSV矽通孔技術）垂直堆疊多個DRAM，與GPU透過中介層互聯封裝在一起。

HBM的優點在於打破了記憶體頻寬及功耗瓶頸。且CPU處理的任務類型較多，且更具隨機性，對速率及延遲較為敏感，HBM特性較適合搭配GPU進行密集資料的處理運算。英偉達新一代AI晶片，皆搭載HBM記憶體。

HBM產品問世至今，HBM技術已發展至第四代，分別為HBM、HBM2、HBM2e、HBM3，第五代HBM3e已在路上。

四代HBM規格對比

至於下一代HBM新品HBM4（第六代），在堆疊的層數上除了現有的12hi (12層)外，也將再往16hi (16層)發展。

預計，HBM4 12hi將於2026年推出，而16hi產品則於2027年問世。

據悉，在HBM4中，將首次看到最底層的Logic die（又名Base die）將首次採用採用12nm製程晶圓，該部分將由晶圓代工廠提供，使得單顆HBM產品需要晶圓代工廠與存儲器廠合作。