中國最大快閃晶片製造商長江儲存在美國起訴美光，後者侵犯了專利。長江儲存在起訴書中提到，美光使用長江儲存的專利技術，以抵禦來自長江儲存的競爭，並獲得和保護市場份額。訴訟旨在解決以下問題的一個方面：美光試圖透過迫使長江儲存退出3D NAND Flash（快閃記憶體）市場來阻止競爭和創新。

據悉，長江存儲指控美光侵犯了美國專利號為“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“10,861,872”“11,468,957”“10,861,872”“11,468,9570836”的專利。

美光被控侵權的產品包括96層、128層、176層和232層3D NAND產品。

去年11月，分析和追蹤快閃記憶體市場的TechInsights公司得出結論：長江儲存是3D NAND快閃記憶體領域的領導者，超過了美光。

有相關專家表示，如果按照上述這份起訴書來看，長江存儲專利幾乎可以讓他們贏下對美光的官司，只要法官沒有偏袒的意思，這也直接展示了，中國存儲巨大進步。