透過美國加州北區地方法院最新公佈的資訊了解到，中國3D NAND快閃記憶體製造商－長江儲存科技有限責任公司（以下簡稱「長江儲存」）已於11月9日在美國加州北區地方法院對美國美光科技公司（MICRON）和美光消費產品事業部（MICRON CONSUMER PRODUCTS GROUP, LLC）（以下統稱「美光」）提起訴訟，指控美光侵犯了其8項與3D NAND相關的美國專利。

據悉，本次涉案的長江儲存的美國專利包括：

US10,950,623（3D NAND儲存裝置及其形成方法）、US11,501,822（非揮發性儲存裝置及控制方法）、US10,658,378（三維儲存裝置的直通陣列接觸(TAC)）、US10,937,806 （三維儲存裝置的直通陣列接觸(TAC)）、US10,861,872（三維儲存元件及其形成方法） 、US11,468,957（NAND記憶體操作的體系結構與方法）、US11,600,342（三維快閃記憶體的讀取方法）、 US10,868,031（多層堆疊三維儲存裝置及其製造方法）。

長江存放在起訴書中稱，美光的128層、176層等諸多系列3D NAND侵犯了長江存儲上訴8項專利。美光在未經授權的情況下利用長江儲存的專利技術來與長江儲存進行競爭，保護其市場份額，侵犯了長江儲存的利益，遏制了其創新的動力。

長江存儲表示，目前已是全球3D NAND市場的領導者。

2022年11月，半導體研究機構TechInsights在一項分析後得出的結論：“長江存儲所取得的成就令人驚嘆，現在是3D NAND 閃存領域的領導者”，“一舉超越了美光”。

特別值得一提的是，近年來，隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍CMOS電路所佔據的晶片面積或將達到50%以上。為了解決這個問題，長江儲存在2018年推出了自研的創新的Xtacking技術。

Xtacking是透過將兩塊獨立的晶圓分別製造NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路，然後將CMOS邏輯電路堆疊在NAND陣列之上，二者之間的垂直連接則需要相應的鍵合技術來實現，形成間距為10μm 及以下的互連，且不會影響I/O 性能。

另外，由於兩種類型的晶片可以在不同的生產線上製造，因此可以使用各自優化的製程節點分別生產，不僅可以縮短生產週期，還可以降低製造複雜度和成本。此外，該技術也使得每平方毫米的儲存密度、效能和可擴展性可以進一步提高。

目前長江儲存的Xtacking技術已經進展到了3.0版本。

資料顯示，長江儲存科成立於2016年7月，總部位於「江城」武漢， 是一家專注於3D NAND快閃記憶體設計製造一體化的IDM積體電路企業，同時也提供完整的記憶體解決方案。

2017年10月，長江儲存透過自主研發和國際合作結合的方式，成功設計製造了中國首款3D NAND快閃記憶體。

2019年9月，搭載長江儲存自主創新Xtacking 架構的第二代TLC 3D NAND快閃記憶體正式量產。

2020年4月，長江儲存宣布第三代TLC/QLC兩款產品研發成功，其中X2-6070型號作為首款第三代QLC閃存，擁有發布之時*業界*最高的I/O速度，最高的儲存密度和最高的單顆容量。

截至目前長江儲存已在武漢、北京等地設有研發中心，全球共有員工8,000餘人，其中研發工程技術人員6,000餘人。

作為國內最大的3D NAND製造廠商，長江存儲經過多年的發展，目前在技術上已經達到了三星、SK海力士、美光等一線NAND技術廠商的水平，並且憑藉創新的Xtacking架構實現了存儲密度上的領先。

不過，自去年以來，由於受到美方的打壓，無法取得先進的美日荷設備，產能擴張受到了限制。

此次，長江儲存透過對美國記憶體晶片大廠美光發起專利訴訟，維護自身權益，不僅反應了自身技術的領先性，也體現了國內受制企業敢於「亮劍」的精神。