伺服器大容量RDIMM 的主要途徑是使用矽通孔(TSV) 對DRAM 層進行3D 堆疊(3DS)。然而，這給封裝帶來了巨大挑戰（導致成本上升），而且能耗效率也不高。對大容量RDIMM 的需求主要是由於用於生成式人工智慧的大型語言模型（LLM）的突然出現和CPU 核心數的不斷增加，這兩者都需要大量的DRAM 才能滿足效能要求。考慮到這些因素，美光正在推出128 GB DDR5 RDIMM，其運行速度最高可達8,000 MT/s，預計於2024 年量產。

美光公司最近開始利用其經過驗證的成熟1 β 技術製造的單片32 Gb DDR5 顆粒。與標準的JEDEC 規格相比，這種新晶片的位元密度提高了45%以上，能夠達到8000 MT/s，同時還能以更積極的時序延遲運行。該公司聲稱，與競爭對手的3DS TSV 產品相比，它的能源效率提高了24%，更快的運行速度也有助於加快人工智慧訓練時間。避免使用3DS TSV 可以讓美光更好地優化資料輸入緩衝器和關鍵I/O 電路，同時減少資料線上的引腳電容。這些都有助於降低功耗和提高速度。

由於採用CMOS 製程的進步和陣列效率的提高，美光的單晶片密度每3 年左右就會翻倍。該公司認為，隨著技術的不斷進步，未來實現48 Gb 和64 Gb 單晶片的前景十分明朗。美光公司也宣稱，其1 β 節點已領先競爭對手實現量產，並在公司歷史上實現了最快的良率成熟。採用1β DRAM 的雙晶片封裝和高外形尺寸(TFF) 模組預計在不久的將來實現1TB 模組。

在宣布採用1 β 技術的128 GB RDIMM 的同時，該公司也為即將推出的產品製定了路線圖。HDM 和GDDR7 預計將主導對頻寬要求較高的應用，而RDIMM、MCRDIMM 和CXL 解決方案則將用於需要大容量的系統。LPDDR5X 和LPCAMM2 解決方案最高可達192 GB，預計最快將於2026 年出現在功耗敏感系統中。