儲存巨頭再一次加大漲價力度。據台灣經濟日報引述半導體業內多位消息人士消息稱，三星本季將NAND Flash晶片報價調漲10%至20%之後，已決定明年第一季與第二季逐季調漲報價20%，此舉遠超業界預期。

值得注意的是，信達證券先前引述產業消息稱，近日三星向客戶公佈Q4官價，MobileDRAM合約價環比漲幅預估將擴大至11%-25%；NAND Flash方面，UFS4.0漲幅約2%左右，eMCP、uMCP漲幅不等，平均漲幅20%以上，最高漲幅高達66%。

為何三星有底氣強勢漲價？減產或許是原因之一。在10月31日的財報會議上，三星執行副總裁Kim Jae-joon直言，“三星接下來的減產行動，將比目前DRAM縮減產出的規模更大。”

業內人士指出，目前NAND晶片市場轉趨熱絡，客戶陸續回籠。三星作為全球記憶體晶片龍頭，其領頭調漲價格，將有助於整體市場報價正向發展。

同時，多家儲存廠商也已給出相當樂觀的預期。

例如群聯指出，過去6-9個月OEM客戶調整庫存已近尾聲，公司已獲得更多設計導入（design-in）的訂單。

儲存模組廠威剛則表示，隨著大廠大幅減產效益浮現，看好儲存價格從今年四季到明年上半年一路上漲，明年起更會進入為期二年的儲存多頭格局，未來二年市場供應將吃緊並出現缺貨狀況。

TrendForce先前指出，NAND晶片價格自8月起漲，看好在供應商議價態度轉趨強硬情況下，四季度企業級固態硬碟合約價格可望上漲約5%-10%；用戶端固態硬碟方面，隨著供應商議價能力提高，高低階用戶端固態硬碟產品可望同步上漲，預估四季合約將揚升8%至13%。

此外，其認為記憶體整體漲勢可望延續，預計明年第一季Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）合約將續漲，漲幅則視後續原廠是否維持保守的投產策略，以及終端是否有實質買氣支撐而定。

隨著主要廠商控產持續進行，以及原廠、終端與通路庫存去化，疊加終端市場需求復甦，國金證券11月1日報告指出，記憶體晶片預計在今年四季開始價格反彈，開啟新一輪上漲週期。而作為記憶體晶片的生產者，以及儲存市場最為重要的環節，記憶體晶片廠商可望最為受益。