儲存巨頭NAND晶片漲至明年逐季調漲20%遠超業界預期
儲存巨頭再一次加大漲價力度。據台灣經濟日報引述半導體業內多位消息人士消息稱,三星本季將NAND Flash晶片報價調漲10%至20%之後,已決定明年第一季與第二季逐季調漲報價20%,此舉遠超業界預期。
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值得注意的是,信達證券先前引述產業消息稱,近日三星向客戶公佈Q4官價,MobileDRAM合約價環比漲幅預估將擴大至11%-25%;NAND Flash方面,UFS4.0漲幅約2%左右,eMCP、uMCP漲幅不等,平均漲幅20%以上,最高漲幅高達66%。
為何三星有底氣強勢漲價?減產或許是原因之一。在10月31日的財報會議上,三星執行副總裁Kim Jae-joon直言,“三星接下來的減產行動,將比目前DRAM縮減產出的規模更大。”
業內人士指出,目前NAND晶片市場轉趨熱絡,客戶陸續回籠。三星作為全球記憶體晶片龍頭,其領頭調漲價格,將有助於整體市場報價正向發展。
同時,多家儲存廠商也已給出相當樂觀的預期。
例如群聯指出,過去6-9個月OEM客戶調整庫存已近尾聲,公司已獲得更多設計導入(design-in)的訂單。
儲存模組廠威剛則表示,隨著大廠大幅減產效益浮現,看好儲存價格從今年四季到明年上半年一路上漲,明年起更會進入為期二年的儲存多頭格局,未來二年市場供應將吃緊並出現缺貨狀況。
TrendForce先前指出,NAND晶片價格自8月起漲,看好在供應商議價態度轉趨強硬情況下,四季度企業級固態硬碟合約價格可望上漲約5%-10%;用戶端固態硬碟方面,隨著供應商議價能力提高,高低階用戶端固態硬碟產品可望同步上漲,預估四季合約將揚升8%至13%。
此外,其認為記憶體整體漲勢可望延續,預計明年第一季Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC、UFS)合約將續漲,漲幅則視後續原廠是否維持保守的投產策略,以及終端是否有實質買氣支撐而定。
隨著主要廠商控產持續進行,以及原廠、終端與通路庫存去化,疊加終端市場需求復甦,國金證券11月1日報告指出,記憶體晶片預計在今年四季開始價格反彈,開啟新一輪上漲週期。而作為記憶體晶片的生產者,以及儲存市場最為重要的環節,記憶體晶片廠商可望最為受益。