長江儲存再次實現突破全球最先進的3D NAND記憶體晶片被發現
知名半導體產業觀察機構TechInsights稱,在一款消費性電子產品中發現了世界上最先進的3D NAND記憶體晶片,它來自中國頂級的3D NAND製造商長江儲存。據悉,TechInsights在2023年7月推出的致態SSD中發現了由長江儲存製造的232層QLC 3D NAND晶片,這種新的QLC晶片具有19.8 Gb/ mm2的商用NAND產品中最高的比特密度。
本次的發現,超越了同樣在開發232層QLC 3D NAND晶片的美光和英特爾(Solidigm)。長江儲存232L QLC晶片致態Ti600 1TB固態硬碟TechInsights表示,儘管受到製裁後困難重重——包括該公司受限於向蘋果供應基於中國生產的iPhone零件,以及被列入美國的實體名單, 但長江儲存仍在靜靜地開發最先進的技術。
近期儲存市場的低迷,以及許多記憶體製造商專注於節省成本的舉措,可能為長江儲存提供了機遇,使其具有領先的更高位元密度的3D Xtacking NAND。值得注意的是,三星目前的策略是專注於V9 3D NAND的TLC和QLC,因此沒有在236層(V8) 3D NAND上開發QLC。但是,三星在上週舉行的「記憶體技術日」上,首次公開了面向行動市場的QLC產品——採用176層(V7)技術的512GB UFS 3.1產品。SK海力士的主要業務是TLC,而不是QLC產品。越來越多的證據表明,中國正在努力克服貿易限制、建立本土半導體供應鏈的勢頭比預期的要成功。在此之前,TechInsights是首批拆解華為Mate 60 Pro的機構,在拆解完之後,TechInsights副主席Dan Hutcheson給出瞭如下評價:「這確實是一個令人驚嘆的品質水平,是我們始料未及的,它肯定是世界一流的。因此,我們要祝賀中國,能夠製造出這樣的產品。這意味著中國擁有非常強大的能力,而且還在繼續發展技術。”