根據外媒體報道，記憶體晶片大廠三星在獲得美國政府對其在中國的工廠的「無限期豁免」之後，使得三星在中國的工廠將無需特別許可申請，​​就可進口美國晶片設備來進行升級或擴產的動作。報道稱，在取得豁免後，三星高層已決定將其為在中國西安NAND Flash快閃記憶體工廠升級到236層堆疊的技術，並準備開始大規模擴產動作。

△三星1Tbit Gen 8 V-NAND 晶片

報告引述消息人士的說法指出，三星已開始預定和購買最新的半導體設備以用於接下來的製程轉換動作。

預計，新設備將在2023年底交貨，並在2024年於西安工廠陸續引進可生產三星第8代V-NAND的技術，堆疊層數將達到236層，相比其第7代V-NAND的176層數成長了34%。

這也被業界視為在當前全球NAND Flash快閃記憶體需求疲軟，導致產能下降的因應計畫。

根據公開數據顯示，三星中國半導體有限公司在2012年正是落腳中國西安高新區。

其中，三星半導體西安工廠是該公司唯一的海外內存半導體生產基地，於2014年開始運營，並在2020年增建第二座工廠後，主要以生產128層堆疊NAND Flash閃存為主，月產能達20萬片12吋晶圓，佔三星NAND Flash產總量的40%以上。

資料顯示，三星在中國大陸的西安、蘇州擁有記憶體晶片工廠。

其中，西安工廠是三星在華人最大投資項目，主要製造3D NAND快閃記憶體晶片。三星中國西安工廠的第一期工程投資108.7億美元，而在2017年開始，三星開始展開第二期工程，兩期工程先後共投資了150億美元。

目前，三星西安工廠月產能將達到26.5萬張12吋晶圓，佔三星全球NAND快閃記憶體晶片總產量的42%。

2022年，三星半導體西安工廠產值將突破1,000億元。