除了宣布下一代HBM3E高頻寬記憶體可以做到單顆晶片36GB、等效頻率9.8GHz的世界領先，三星也展望了真正全新一代HBM4記憶體的方向。在三星的規劃中，HBM4將有兩個發展方向，使用更先進的電晶體製程和更高級的封裝技術。

製程方面，三星計畫在HBM上放棄傳統的平面電晶體，改用FinFET立體電晶體，進而降低所需的驅動電流，改善能效。

FinFET立體電晶體技術是Intel 22nm率先引用的，這些年一直是半導體製造製程的根基，接下來在Intel 20A、台積電2nm、三星3nm上，都將轉向全環繞立體閘極電晶體。

封裝方面，三星計畫從微凸點鍵結轉向無凸點鍵結(bumpless bongding)，將銅層與銅層直接互連。

事實上，這在邏輯晶片領域也是相當先進的技術，仍在研發中。

顯然，這些都有助於HBM記憶體繼續擴大容量、提升頻率和頻寬，但成本也將居高不下，注定它不會和普通用戶產生多大關聯，依然是HPC、AI領域的專屬。