三星在其2023 年記憶體技術日上正式推出了包括HBM3E、GDDR7、LPDDR5x CAMM2 等在內的下一代記憶體技術。我們已經報道代號為”Shine Bolt”的三星HBM3E 記憶體和麵向下一代人工智慧、遊戲和資料中心應用的GDDR7 的發展。這些可以看作是2023 年內存技術日的兩大亮點，但三星肯定還有更多的動作。

面向人工智慧和資料中心的三星HBM3E”Shinebolt”內存

基於三星在2016 年將業界首個HBM2 商業化並為高效能運算（HPC）開啟HBM 市場的專業技術，該公司今天發布了名為Shinebolt 的下一代HBM3E DRAM。三星的Shinebolt 將為下一代人工智慧應用提供動力，提高整體擁有成本（TCO），並加速資料中心的人工智慧模型訓練和推理。

HBM3E 每引腳速度高達9.8 千兆位元每秒（Gbps），這意味著它可以實現超過1.2 太位元組每秒（TBps）的傳輸速率。為了實現更高的層堆疊並改善熱特性，三星優化了其不導電薄膜（NCF）技術，以消除晶片層之間的間隙並最大限度地提高導熱性。三星的8H 和12H HBM3 產品目前已進入量產階段，Shinebolt 的樣品也已交付給客戶。

憑藉其作為半導體整體解決方案提供商的優勢，該公司還計劃提供將新一代HBM、先進封裝技術和代工產品結合在一起的客製化交服務。

新一代遊戲顯示卡的三星GDDR7 – 32 Gbps 和32 Gb DRAM

會上重點介紹的其他產品包括業界容量最高的32Gb DDR5 DRAM、業界首款32Gbps GDDR7 以及可大幅提升伺服器應用儲存能力的PB SSD。

據三星稱，與目前最快的24 Gbps GDDR6 DRAM 相比，GDDR7 記憶體將提高40% 的性能和20% 的能效，晶片容量最高可達16Gb。首批產品的額定傳輸速度達32 Gbps，比GDDR6 記憶體提高了33%，同時在384 位元匯流排介面解決方案上實現了1.5 TB/s 的頻寬。

以下是32 Gbps 引腳速度在多種匯流排配置中提供的頻寬：

512 位元- 2048 GB/秒（2.0 TB/秒）

384 位元- 1536 GB/秒（1.5 TB/秒）

320 位元- 1280 GB/秒（1.3 TB/秒）

256 位元- 1024 GB/秒（1.0 TB/秒）

192 位元- 768 GB/秒

128 位元- 512 GB/秒

該公司還測試了運行速度高達36 Gbps 的早期樣品，但我們懷疑這些樣品是否能大量生產，以滿足下一代遊戲和人工智慧GPU 的需求。

GDDR7 顯存的能源效率也將提高20%，考慮到顯存對高階GPU 的龐大耗電量，這無疑是件好事。據悉，三星GDDR7 DRAM 將包括專門針對高速工作負載進行最佳化的技術，還將提供低工作電壓選項，專為筆記型電腦等注重功耗的應用而設計。在散熱方面，新的記憶標準將採用具有高導熱性的環氧樹脂模塑化合物（EMC），可將熱阻降低多達70%。早在8 月就有報導稱，三星向英偉達（NVIDIA）提供了GDDR7 DRAM 樣品，用於下一代遊戲顯示卡的早期評估。

用於下一代CAMM2 模組的三星LPDDR5x簡化行動設計

為了處理資料密集型任務，當今的人工智慧技術正朝著在雲端和邊緣設備之間分配和分配工作負載的混合模式發展。因此，三星推出了一系列記憶體解決方案，支援邊緣設備的高效能、大容量、低功耗和小外形尺寸。

除了業界首款7.5Gbps LPDDR5X CAMM2（預計將真正改變下一代PC 和筆記型電腦DRAM 市場的遊戲規則）之外，該公司還展示了9.6Gbps LPDDR5X DRAM、專用於設備上人工智慧的LLW DRAM、下一代通用快閃記憶體（UFS）以及用於PC 的大容量四級單元（QLC）固態硬碟BM9C1。