8月份，SK海力士全球首家宣布了321層堆疊的NAND閃存，首次突破300層，但是要到2025年上半年才會量產。一直處於儲存一哥位置的三星坐不住了，因為原本規劃2024年量產的第9代V-NAND快閃記憶體只有280層左右，2025-2026年的第10代則突破到430層以上。

被反超顯然是三星不能忍受的。三星電子儲存業務總裁李榮培(Jung-bae Lee)最新披露，第9代V-NAND進展順利，將在明年初量產，基於雙堆疊架構，達成業界最高堆疊層數。

Jung-Bae Lee 指出： “在即將到來的10 奈米以下DRAM 和1,000 層垂直V-NAND 時代，新的結構和材料創新至關重要。因此，我們正在為DRAM 開發三維堆疊結構和新材料，同時為V-NAND 增加層數、降低高度並最大限度地減少單元乾擾。計劃於2024 年推出的第9 款V-NAND 將採用11 奈米級的DRAM。此外，博文還重申了對CXL內存模組（CMM）的承諾，CMM將支援下一代系統的可組合基礎設施，特別是採用V-NAND的大容量固態硬碟。”

他沒有披露具體的層數，但此前就有說法稱，會提高到300層以上，能不能超過SK海力士的321層不好說，但至少在近期是新高。顯然，三星給第9代快閃記憶體加碼了。