三星目前正在加速開發第五代HBM3e「Shinebolt」。經過初步測試，「Shinebolt」的最大資料傳輸速度將比上一代有所提升，預計將達到1.228TB/s，比SK海力士的HBM3e（最大資料傳輸速度為1.15TB/s）更快。

同時「Shinebolt」也採用了最新的12層垂直堆疊方案，能夠在單一HBM3e封裝上實現高達36GB的容量，而原型版本使用的8層堆疊方案僅實現了24GB的容量。據悉，HBM（High Bandwidth Memory）屬於垂直連接多個DRAM，與DRAM相比顯著提升資料處理速度的高附加價值、高效能產品。HBM DRAM產品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開發，其中HBM3e是HBM3的擴展（Extended ）版本。HBM被認為是人工智慧時代的新一代DRAM。