根據韓國媒體今天的報道，三星已經確認將其第5帶HBM3E產品命名為「Shinebolt」。隨著三星加快對HBM3E的開發和行銷，其有望追上SK海力士在該領域的步伐。HBM屬於垂直連接多個DRAM，與DRAM相比顯著提升資料處理速度的高附加價值、高效能產品。由於其性能優勢，HBM通常被認為是人工智慧時代的DRAM記憶體。

HBM DRAM產品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開發，其中HBM3E是HBM3的擴展版本。

據相關人士透露，三星已經開始向客戶提供Shinebolt樣品來進行品質測試，該樣品的規格為8層24GB。此外，三星也將很快完成12層36GB產品的開發。

與HBM3相比，Shinebolt的最大資料傳輸速度（頻寬）提升了約50%，可達1.228TB/S。相當於在1秒鐘內傳輸了230部FHD高清電影（每部容量5GB）

HBM的關鍵在於每層之間的連接方式，三星從HBM生產之初就一直的採用是熱壓縮非導電薄膜（TC-NCF）工藝，而其老對手SK海力士則採用的是質量回流成型底部填充（MR-MUF）製程。當然，這二者孰優孰劣還是要交給市場來評斷。

由於已經在HBM的開發和生產速度上落後於SK海力士，三星也開始重新制定策略來奪回市場定位。其中最主要的就是加速開發可能改變HBM規則的「混合連接」製程。