今天，三星電子記憶體業務負責人Lee Jung-Bae發表文章，稱三星已生產出基於其第九代V-NAND快閃記憶體產品的運行晶片，希望明年初可以實現量產。同時三星也正在開發業界領先的11奈米級DRAM晶片。

該負責人還表示，對於DRAM三星正在研發3D堆疊結構和新材料；對於NAND閃存，正在透過增加堆疊層數、同時降低高度來實現半導體產業最小的單元尺寸。

這項計畫也將使三星的進度超過SK海力士，SK海力士曾在不久前宣布計畫在2025年開始量產321層NAND晶片。預計三星第9代NAND快閃記憶體晶片仍將採用雙堆疊技術，其中包括在兩個獨立過程中創建NAND記憶體，然後將它們組裝在一起。與老對手三星不同，SK海力士的300層NAND產品採用的是三重堆疊技術，每組分別堆疊120層、110層和91層，最後組合成一個晶片。相較於三重堆疊，雙堆疊製程在生產成本和效率上存在著不小的優勢。三星此舉也是為了用成本優勢來超越對手，以鞏固其市場領先地位。在去年舉辦的三星技術日上，三星表示將在2030年實現堆疊多達1,000層的技術。然而如果不採用三重堆疊工藝，要實現超過400層的堆疊將是一個挑戰。因此業內人士表示三星可能會在第10代430層產品中開始採用三重堆疊技術。