三星將升級西安工廠NAND晶片製程至236層
根據先前相關的報道,三星和SK海力士獲得美國無限期豁免,不需要特別的許可批准,即可為其在中國的工廠安裝帶有美國技術的製造設備。對三星來說這無疑是個好消息,在取得豁免後三星也確實在採取相應措施。根據Business Korea今天的報導,三星電子決定將其西安NAND快閃記憶體工廠升級到236層NAND製程。 報告顯示,三星已開始採購最新的半導體設備,新設備預計將在2023年底交付,並於2024年在西安工廠陸續引進可生產236層(第8代)NAND的設備。 三星決定升級西安工廠的原因主要由兩個:第一個原因是三星想要在目前尚未復甦的NAND晶片市場繼續保持全球領先地位。從去年年底開始的半導體市場疲軟影響到了三星NAND業務,即便是4月開始採取減產措施後也沒有明顯改變。因此三星選擇了升級製程來確保產品的競爭力和價格,畢竟比起第6代NAND技術,第8代新技術的晶圓投入減少了30%左右,更能平衡市場供需。再加上由於三星的減產措施,其西安工廠的整體開工率也大幅下降到了20%左右。另一個原因就是美國的無限期豁免。三星西安工廠是其唯一的海外儲存半導體生產基地,第一工廠投資了108.7億美元(約795億元),2017年開始建造的第二工廠,先後投資了150億美元(約1097億元人民幣)。目前三星西安工廠已經成為了世界上最大的NAND製造基地,約佔了三星NAND總產量的40%。三星那麼多的投資,再加上美國現在又對其進行了豁免,升級生產流程也就在情理之中了。