三星電子（Samsung Electronics）宣布計劃在2025 年前量產HBM4 內存，以實現製造服務的多樣化，滿足行業需求。三星電子DRAM 產品和技術團隊主管Sang Joon Hwang 在三星新聞室的一篇部落格文章中透露了這一進展，聲稱該公司計劃提升其記憶體部門的地位。以下是這位主管透露的三星過去在HBM 領域的發展：

三星量產了HBM2E 和HBM3，並開發了每秒9.8 千兆位元（Gbps）的HBM3E，我們很快就會開始向客戶提供樣品，以豐富HPC/AI 生態系統。

展望未來，HBM4 預計將於2025 年推出，目前正在開發針對高熱性能進行最佳化的技術，如非導電膜（NCF）組裝和混合銅鍵結（HCB）。

貼文中提供的資訊顯示，三星已經獲得了潛在客戶對其HBM3 記憶體工藝的興趣，其中英偉達（NVIDIA）等公司處於領先地位。隨著人工智慧（genAI）的發展，對相關硬體的要求達到了新的高度，因此對HBM3 等必要組件的需求也迅速增加。

英偉達正試圖實現供應鏈的多元化，而三星電子在這方面就派上了用場，因為該公司擁有充足的設備來滿足人工智慧加速器對DRAM 的需求。

除了當前世代的進展，三星還計劃快速推進下一代HBM4 工藝，預計將於2025 年亮相。雖然有關內存類型的具體細節不多，但三星透露，HBM4 將採用”非導電薄膜”和”混合銅鍵合”，這將有助於提高內存工藝的能源效率和散熱性能。HBM4 的確將標誌著向下一代人工智慧加速器的過渡，為業界的運算能力打開新的大門。

三星正在成為一家”與眾不同”的供應商，尤其是該公司還在專注於開發晶片封裝設備。鑑於該公司成功地贏得了潛在客戶的信任，我們有可能看到這家韓國巨頭的記憶體部門在未來幾年重振雄風。