美光公司在本週的財報電話會議上表示，該公司正在提供基於單晶片的128 GB DDR5 記憶體模組樣品。這些模組基於該公司今年夏天早些時候發布的單片32 Gb DDR5 記憶體設備，最終將為伺服器1 TB 記憶體模組打開大門。

美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra 表示：”我們推出了基於單晶片的128 GB 模組，從而擴展了我們的大容量D5 DRAM 模組產品組合，我們已經開始向客戶交付樣品，以幫助支援他們的人工智慧應用需求。我們預計該產品將在2024 年第二季實現營收。”

美光的單晶片32 Gb DDR5 晶片是在該公司的1β（1-beta）製造製程上製造的，這是最後一個生產節點，完全依賴使用深紫外線（DUV）光刻技術的多圖案化，而不使用極紫外線（EUV）微影工具。目前，我們對美光32 Gb DDR5 集成電路的了解僅此而已：該公司沒有透露其最高速度，但我們可以預計，與兩個在相同電壓和數據傳輸速率下工作的16 Gb DDR5 集成電路相比，其功耗將有所下降。

美光公司新推出的32 Gb 記憶體晶片為只用8 個獨立記憶體晶片就能為個人電腦製造出標準的32 GB 模組，以及用32 個這樣的集成電路製造出面向伺服器的128 GB 模組鋪平了道路。此外，這些晶片使生產1 TB 容量的記憶體模組成為可能，而這在今天看來是無法實現的。這些1 TB 的模組現在看來可能太大，但它們有利於人工智慧、大數據和伺服器資料庫等領域。此類模組可使伺服器每個插槽支援高達12 TB 的DDR5 記憶體（在12 通道記憶體子系統的情況下）。

談到DDR5 記憶體的整體情況，值得注意的是，該公司預計其DDR5 的位元產量將在2024 年初超過DDR4，在業界處於領先地位。

Mehrotra說：”美光在業界向D5過渡的過程中也佔據了有利地位。我們預計美光D5 的產量將在2024 年初超過D4，領先於業界。”