三星3nm、4nm工藝大幅升級換代一雪漏電、發熱前恥
在晶圓代工市場,台積電保持著絕對的領先地位。不過,三星毫不掩飾自己的覬覦之心,並迫切希望有朝一日可以和台積電平起平坐甚至彎道超車。據悉,三星表示將在6月11日到16日於日本舉行的超大規模集成電路研討會(VLSI Symposium)上,公佈其新一代製程工藝,即第二代3nm和第四代4nm。
此前,三星的4nm口碑不佳,代錶芯片Exynos 2200和驍龍8 Gen1/驍龍7 Gen1等都出現了發熱、高頻低能等問題,遠不如同期的台積電4nm。
三星的SF3即3nm GAP工藝作為改良版的第二代,號稱比比SF4(4nm EUV LPP)相同功耗下性能提升22%、邏輯面積縮小21%、相同晶體管和頻率下能效高34%。
SF3的潛在產品據說會是Exynos 2500和驍龍8 Gen4,最快2024年見面。
至於第四代4nm,名為SF4X,號稱比SF4(第二代4nm)性能提升10%、能效提升23%,主要面向高性能計算場景,看來有望爭奪NVIDIA和AMD的GPU單子。