近日，日本佐賀大學教授嘉數教授與精密零部件製造商日本Orbray合作開發出了用金剛石製成的功率半導體，並以1平方厘米875兆瓦（87.5萬千瓦）的功率運行。該功率半導體在已有的金剛石半導體中，輸出功率值為全球最高，在所有半導體中也僅次於氮化鎵產品的約2090兆瓦。

與作為新一代功率半導體的碳化矽(SiC)產品和氮化鎵(GaN)產品相比，金剛石半導體耐高電壓等性能更出色，電力損耗被認為可減少到矽制產品的五萬分之一，同時耐熱性和抗輻射性也很強，因而被稱為終極功率半導體”。

金剛石帶隙寬度高達5.5eV，遠超氮化鎵、碳化矽等材料，載流子遷移率也是矽材料的3倍，在室溫下本徵載流子濃度極低，且具備優異的耐高溫屬性。

當前，金剛石在半導體領域的應用越來越廣泛，全球各國都在加緊金剛石在半導體領域的研製工作，其中日本已成功研發超高純2英寸金剛石晶圓量產方法，其存儲能力相當於10億張藍光光盤（約為2500萬TB）。

全球天然金剛石年產量約為1.5億克拉，而人造金剛石產量則超過200億克拉，其中95%產量來自於中國大陸。