SK hynix公司今天宣布，其採用第四代10納米工藝技術的1anm DDR5服務器內存已經在幾天前推出的英特爾第四代至強可擴展CPU上得到了驗證。這一驗證在業界尚屬首次。SK海力士的DDR5採用EUV（即極紫外光）光刻工藝。

由於新的英特爾第四代至強可擴展CPU預計將成為計算行業的下一個中心，由於預期對更高性能的內存模塊的需求增加，行業專家認為，新一代內存將實現消費者的需求，並將在更短的時間內成為行業標準。

英特爾為其首次支持DDR5的最新處理器驗證了1anm DDR5的兼容性，這具有紀念意義。我們將通過已經開始大規模生產的DDR5，積極應對不斷增長的服務器市場，從而尋求半導體存儲器行業的快速發展。

– SK 海力士

此外，SK hynix和英特爾已經發表了一份涵蓋DDR5內存的白皮書，展示了該技術的品質和1anm DDR5的記錄性能。

在第四代英特爾至強可擴展處理器推出後，該公司正與一些客戶密切合作，以便更廣泛地採用DDR5，並將加強其在不斷增長的服務器市場的領導地位。

– SK hynix DRAM產品規劃主管Sungsoo Ryu

英特爾內存和I/O技術副總裁Dimitrios Ziakas博士表示：”英特爾一直在與SK hynix、JEDEC和業界辛勤工作，將DDR5從最初的構想變為我們最新處理器技術核心的可擴展、可靠的內存子系統。第四代英特爾至強可擴展處理器利用DDR5增強的內存功能，為我們的數據中心客戶提供了大量工作負載和應用所需的帶寬、性能和擴展能力。”