據台媒DIGITIMES報導，三星電子將在其3nm工藝中採用透光率超過90%的最新EUV薄膜（pellicle）以提高良率，這些薄膜將來自韓國公司S&S Tech。光掩膜板材料（Blankmask）公司S&S Tech在2021年生產成功開發出了透光率達90%的半導體EUV薄膜，一舉成為除了ASML之外另一家成功開發出了透光率超過90%的EUV薄膜的公司。

ChosunBiz報導，據業內人士透露，S&S Tech最早將於2023年上半年進入透光率超過90%的EUV薄膜的批量生產。S&S Tech的目標是應三星要求——將比率提高到94%。

在三星投資的半導體材料和設備供應商中，S&S Tech獲得了最多的投資資金。2020年7月，三星通過注資658億韓元（5200萬美元）獲得了S&S Tech的8%的股份。

據悉，薄膜在EUV工藝時代起著至關重要的作用，可以防止EUV受污染而導致良率性能不佳。

三星將採用透光率超過90%的薄膜，以盡量減少光源的損失並穩定其3nm芯片的生產良率。

據報導，目前還沒有一家晶圓代工廠採用透光率超過90%的薄膜。目前，主要的EUV薄膜供應商包括荷蘭的ASML、日本的三井化學、同屬韓國公司的S&S Tech和FST。三星現在投資S&S Tech和FST，以開發自用EUV薄膜。

根據接受Business Next採訪的專門從事半導體的分析師和專家估計，目前台積電的3nm良率可能低至60%至70%，也可能高達75%至80%。與此同時，金融分析師Dan Nystedt也在Twitter上表示，台積電目前的3nm良率與5nm良率在其生產初期相似，據媒體報導，其良率可能高達80%。