TechPowerUp 報導稱：在3 月21 – 24 日舉辦的英偉達GPU 技術大會上，SK 海力士介紹了該公司最新研發的HBM3 高帶寬顯存。作為SK 海力士的第四代HBM 產品，其在每個堆棧上使用了超過8000 個矽通孔（TSV）。算上從HBM2E 時代的8-Hi 提升到HBM3 的12-Hi 堆棧，TSV 總數就超過了10 萬的級別。

視頻截圖（來自：SK Hynix）

在“完全堆疊”狀態下，HBM3 高帶寬顯存可輕鬆達成24GB 的容量，輔以較HBM2E 翻倍的16 通道架構@ 6.4 Gbps 頻率。

作為目前業內最為領先的高帶寬顯存產品，其有望進一步加速我們的數字生活體驗—— 比如近年來大熱的L4 / L5 級別的自動駕駛汽車系統。

此外隨著數字化加速推動高性能計算（HPC）、人工智能（AI）、機器學習（ML）、以及高級駕駛輔助系統（ADAS）市場的增長，HBM3 有望在這一轉型過程中發揮更大的作用。

顯然，HBM3 不僅是一款高性能產品，還有望化解全球數據中心面臨的共同問題—— 目前服務器內存的功耗開銷，約佔總體的20% 左右。預計到2025 年，還可進一步上升至35% 。

若順利向HBM3 轉型，預計我們可到2030 年將溫室氣體排放減少約83 萬噸。與此同時，SK Hynix 推出了Memory Forest 。

作為該公司的最新舉措之一，其展示了SK 海力士致力於保護環境、創建可持續和創新的內存生態系統的承諾的決心。