近日，半導體市場研究機構IC Insights發布報告，隨著各大存儲巨頭展開200層NAND閃存產品的研發競賽，全球閃存資本支出再創新高。在各大巨頭中，韓國存儲巨頭SK海力士預計將在2023年實現196層NAND閃存產品。

半導體存儲器件是半導體行業市場佔比最高的分支，總計市場規模在1000億美元以上。其中DRAM和NAND Flash是最主流的兩類存儲器件，市場佔比超過95%，而SK海力士分別為全球DRAM市場份額第二和NAND閃存市場份額第四。

今年1月，隨著各國監管部門陸續同意，SK海力士宣布，其收購英特爾閃存業務的第一階段程序已經完成。此次收購涉及的金額達90億美元，全部流程完成後SK海力士將接管英特爾大連晶圓廠、閃存研發部門以及相關知識產權等，進一步擴大自身在閃存領域的市場份額。

作為存儲巨頭，SK海力士的經歷頗富傳奇色彩，在如今全球第三大半導體公司的背後，它也曾兩次背負高額負債，瀕臨倒閉。同時SK海力士還與現代、LG和SK等韓國財團有著極深的羈絆：SK海力士的前身曾是現代電子；現代電子和LG半導體合併後，在2001年獨立改名為海力士；2012年SK集團收購海力士，也就變成瞭如今人們所熟知的SK海力士。

芯東西將梳理現代電子成立至今SK海力士的近40年曆史，回顧這家存儲巨頭的傳奇經歷，並展現存儲市場的風譎雲詭。

如今，總部位於韓國的SK海力士是全球最大的半導體廠商之一。根據市場調研機構Gartner的最新數據，SK海力士2021年營收達363.26億美元，是全球第三大半導體公司，僅次於三星和英特爾。

01 .

1983年-2000年：

以代工起家的現代電子

韓國的半導體產業收入全球排名第二，僅次於美國，其重要性不言而喻，SK海力士就是韓國半導體的標誌性企業之一。

70年代，DRAM存儲器剛剛誕生，英特爾、莫斯泰克（Mostek）等美國公司在DRAM市場輪番坐莊，日本公司也在伺機而動。

1983年現代電子成立，由此開啟了SK海力士的傳奇之路。現代集團上世紀曾經是韓國最大的財團，未分家之前其業務類型覆蓋建築、汽車、造船、半導體等多個領域。

隨著韓國三星、現代電子、LG半導體等公司紛紛打入DRAM市場，行業產能開始過剩，行業利潤嚴重下滑。

由於1983到1985年遊戲機市場崩盤，DRAM市場下降到只有之前的10%不到，英特爾、美國國家半導體等廠商先後退出了該市場。80年代中期，日本企業憑藉著低廉的成本和優秀的技術，開始壓制美國公司、主導存儲市場。

此時韓國企業基本處於追隨者的角色，其中現代電子通過OEM代工的方式，從美國德州儀器等企業獲得了關鍵技術，並於1986年完成了6 4K DRAM的量產。

1985年9月，美國、日本、聯邦德國、法國以及英國的財政部部長和中央銀行行長舉行會議，達成五國政府聯合干預外匯市場、解決美國巨額貿易赤字問題的協議。由於這一會議召開的地點在紐約廣場飯店，因此被稱作廣場協議。

該協議簽署後，日元開始升值。美國商務部也啟動了301反傾銷調查，在次年簽署美日半導體協議，迫使日本打開芯片市場。雖然此時日本廠商仍佔據技術優勢，但是其低價策略已經失去了魔力。

三星、現代、LG和大宇四家韓國廠商依靠財閥的充沛財力，在80年代投資超過20億美元，折合今天上百億美元，開始在技術上追趕日本公司。

進入90年代後，荷蘭光刻機供應商ASML的光刻機技術開始超過日本佳能和尼康。美光、三星相繼更換ASML光刻機，現代電子也緊隨其後採用了ASML的光刻機。

由於日本DRAM廠商堅持使用佳能和尼康光刻機，韓日雙方在工藝、成本上逐漸拉開了差距。1997年，亞洲金融危機爆發，由於韓國企業負債率過高、外匯儲備不足、歐美債務收緊，韓元在年底數週內暴跌60%，卻極大地增強了韓國企業的出口競爭力。

1998年，韓國DRAM企業的市場份額首次超過日本。除了依靠各大財團的雄厚實力外，韓國政府在半導體產業規劃方面同樣發揮了巨大的作用，從1975年開始，頒布了多項政策扶持韓國半導體產業發展。

韓國1975年-2011年半導體政策

為了促進韓國半導體產業的競爭力，韓國政府在1999年將現代電子與LG半導體合併，現代電子擁有多數股份。

根據海力士主要債權人、韓國外換銀行（KEB）CEO羅伯特·E·法倫（Robert E. Fallon）的說法，LG半導體的公司僅價值1.3萬億韓元（約合75億元人民幣），而現代電子支付了6.1萬億韓元（約合353億元人民幣）；僅現金部分就相當於LG半導體賬面價值的兩倍。

原則上，現代電子應該拒絕為LG半導體的債務買賬，但是法倫稱，當時要求兩家公司合併的政治壓力過於龐大，最終合併後現代電子負債近140億美元，債務股本比高達160%，這為公司帶來了龐大的經濟負擔。

韓國外換銀行CEO Robert E. Fallon

02 .

2001年-2006年：

巨額債務下的絕地求生

2001年，因為現代電子從現代集團中拆分，公司改名為海力士。同年美光完成收購德州儀器的內存部門，隨著1999年到2001年內存行業整合結束，三星、美光、海力士、英飛凌四家掌握有全球近八成的DRAM市場份額。

2001-2014年內存市場份額

此時DRAM市場競爭已經趨於白熱化，產品價格接近生產成本，之後互聯網泡沫破裂，DRAM價格崩盤。

根據IDC數據，在2001年DRAM容量需求上升56%的情況下，DRAM價格降低了46%，2001年DRAM市場預期只有238億美元，相較2000年縮水18%。

在這樣的市場行情下，海力士虧損25億美元，無力歸還貸款，資產負債率高達206%。

考慮到半導體行業巨大的遠期資本支出需求，韓國政府和以韓國外換銀行為首的債權人開始推動出售海力士。

然而，三星和LG都拒絕接手這個負債累累的爛攤子，只有美光想要趁機大賺一筆。

2001年底，時任海力士總裁的Park Chong-sup與美光達成協議，美光將以價值30億美元的股票收購海力士的整個內存芯片業務與25%的其他業務，而且還不會接受海力士的60億美元債務。

儘管當時海力士已經走投無路，但這一計劃依舊遭到了海力士董事會的一致反對。最後美光收購海力士失敗，各大DRAM廠商開始期待海力士倒閉空出的市場。

韓國外換銀行這時（KEB）面臨著兩種選擇：對公司進行清算；或者通過債權人主導的大規模重組，試圖使海力士復甦。

韓國外換銀行選擇了後者，為此，外換銀行根據《韓國企業重組促進法（CRPA）》啟動了一項雄心勃勃的重組計劃。CRPA是韓國旨在幫助公司從金融危機中復蘇國家計劃的一部分，該法律使外換銀行有權指定海力士的管理層，並藉給海力士12億美元以完成重建。

於是外換銀行成立了債權人委員會取代海力士董事會，該委員會負責為海力士做出所有關鍵決定。而在海力士內部，外換銀行設立了一個財務管理團隊，專門負責監督海力士的現金收入與支出。

最後，外換銀行選出了海力士的董事名單，其中Eui-Jei Woo成為了海力士的CEO。

Woo教授於1967年加入外換銀行。2000年，他升任韓國外換銀行代理總裁。據他回憶，他被任命海力士CEO這天是他人生中最糟糕的一天。

海力士前CEO Eui-Jei Woo

Woo教授記得，剛剛接手海力士之初，他們任何試圖制定可行還款計劃的嘗試都被指責是失敗的。債權人、韓國政府和媒體得出結論：海力士無法在財務上恢復元氣，三方敦促他重啟與美光的談判。

Eui-Jei Woo並沒有因此而放棄，相反他選擇繼續帶領海力士執行重建計劃，最終完成了重建。

回顧海力士的複蘇過程，Eui-Jei Woo提出了海力士復興中的6大里程碑：

1、成立半導體聯盟；

2、賣掉了非存儲芯片業務；

3、中國無錫芯片廠的成立；

4、CRPA再融資；

5、債權人權益貨幣化；

6、引入新融資。

當時為了改善海力士的債務狀況並確保其生存，韓國外換銀行註銷了海力士對自己的80億美元債務，達到絕對控股，也緩解了海力士的債務壓力。

之後，海力士和很多半導體公司達成了戰略合作關係，組建了半導體聯盟。法倫介紹，其中比較重要的是與歐洲芯片廠商意法半導體的合作。

當時意法半導體和海力士都瞄準了NAND閃存市場。但是意法半導體的專有設計實力很強，卻並不擅長芯片製造。而海力士雖然芯片製造實力很強，但是沒有多餘的資金來建設新廠，因此雙方提議合資建廠。

此時，中國不僅是一個巨大的市場，也在追求更高的芯片製造工藝，中國政府提供了非常誘人的優惠條件吸引外國技術投資，而且生產成本與其他國家相比也較低。

值得一提的是，海力士拒絕美光的收購報價後，美光於2003年向歐盟和美國起訴海力士。歐盟和美國因海力士接受韓國政府控制的銀行補貼，分別決定對海力士徵收34%與45%的進口關稅。在中國合資建廠可以免交這些高額稅款，這也進一步促使海力士選擇中國建廠。

因為無錫此前曾引進東芝DRAM生產線，具備半導體生產經驗，最終價值20億美元的意法半導體和海力士存儲芯片工廠在無錫落地，成為了當時中國最大的外國技術投資。

海力士無錫芯片廠共有兩條生產線，一條8英寸晶圓生產線的月產量為50000片，另外一條12英寸生產線的月產量達到18000片。

本次海力士投入2.5億美元的現金和價值2.5億美元的設備，獲得了工廠2/3的產能，意法半導體則佔據另外1/3。在這次投資中，海力士僅花費2.5億美元現金就建設了價值20億美元的工廠，還擴充了最先進的12英寸產能。

2002年11月，私募股權與信貸公司CVC資本（CVC Capital Partners）開始與海力士溝通，希望交易其非存儲芯片業務。海力士拒絕了CVC 8萬億韓元（約合5億美元）的原始要約，從而直接與CVC董事長威廉·康福特（William Comfort）進行了談判。

雙方在KEB經過數天激烈討論後，要約價格從5億美元提高到9.54億美元。這個數字大約是海力士非內存芯片部門賬面價值的2倍，於是海力士同意了這筆交易，減少了超過10億美元的債務。

而CVC將非內存芯片部門改名為MagnaChip，並將其帶入了國際證券市場。CVC通過發行高收益的揚基債券（即在美國市場上發行的外國債券），獲得了7.5億美元收益。

海力士、KEB和CVC都在交易中獲得了利益

這使法倫和Eui-Jei Woo意識到，高收益債券市場可能將為海力士提供類似的機會。

於是，海力士也開始發行債券對現有債務再融資，一開始該公司計劃在市場籌集18億美元。此時海力士已經14個季度連續虧損，很多債務被列為不良貸款，很多投資人並不看好重建計劃。

為了重建海力士與債券市場投資者關係，海力士及其債權人同意放棄超過10%的股份，並將其投入市場進行融資。最終，該融資使海力士償還了12億美元的CPRA債務，為海力士贏回了市場信譽。

由於償還了CPRA債務，KEB的債權人理事會解散，董事會重新建立。換句話說，KEB銀行再次回歸了其股東身份，不再直接管理海力士。KEB的資金管理團隊也隨後撤出，賦予了海力士更多的管理自主權與資金使用權限。

2008年，哥倫比亞大學商學院邀請法倫和Eui-Jei Woo進行講座，將海力士的這次經歷稱為“有史以來最大、最成功的亞洲公司重組”。

03 .

2006年至今：

再陷債務危機，SK集團救場

2006年，隨著無錫芯片工廠開業，海力士在騰飛的NAND閃存業務中占到了一大塊蛋糕，當年獲得了超過20億美元的淨利潤，創造了海力士利潤新高。眼看海力士即將擺脫破產陰影，Eui-Jei Woo的退休卻又為海力士的未來添加了幾分不確定因素。

Woo教授於2007年從海力士退休。在他辭職之前，他要求其繼任者從海力士目前的管理層中挑選。

不幸的是，債權人KEB沒有聽從他的建議，而是任命了一位來自韓國貿易、工業和能源部的前部長金鐘甲為接班人。在他領導下，海力士開始了積極的產能擴充。

2007年7月，金鐘甲宣布海力士計劃大幅增加300mm晶圓的產量，以使海力士成為世界領先的芯片製造商。為此，海力士的大量投資遷移到56、36nm DRAM和48nm NAND閃存生產線上。

雖然金鐘甲的野心很大，但他忽視了存儲芯片價格的波動。2007年，存儲芯片價格開始下跌。9月份，標準的512MB DDR2 DRAM芯片的價格從年初下降了超過70%，原本5.95美元/片的DRAM芯片售價降到了1.75美元/片。

這本應是對海力士投資支出過高的一次警告。在芯片價格較低的情況下，海力士幾乎無法支付其生產成本與貸款利息，也無法獲得更多融資。儘管如此，金鐘甲仍在繼續其激進的資本支出計劃。

海力士內部經驗豐富的管理人員因此越來越不滿，他們知道過去的高額債務幾乎毀掉了公司。現在，他們卻不得不眼睜睜地看著海力士的債務水平再次上升。

時任高級副總裁的權伍哲表達了他的擔憂，很快他被另一名前韓國貿易、工業和能源部官員取代。另外一名海力士金融專家也曾提出質疑，但2008年因為5億美元的全球可轉換債券再融資失敗，他被迫辭職。

我們現在無法得知為何KEB等債權人沒有提前進行干預，但到了2008年第四季度，存儲芯片價格仍未回升，海力士也受困於流動性緊縮，不得不與銀行開始新一輪的接洽。

海力士為了生存，要求增加新股本並將銀行債務延期，為此，海力士的債務水平將大幅提升。

具有諷刺意味的是，一家曾如此努力地去槓桿化資產負債表的公司，如今又面臨著債務不斷增加的局面，海力士管理層似乎忽略了2002-2006年的教訓。

2008年12月，海力士宣布將削減在韓國擴建工廠的開支，推遲了在中國無錫擴建工廠的2.6億美元投資計劃，並關閉了位於俄勒岡州尤金的200mm芯片製造工廠。

2009年1月，韓國主要的債權銀行宣布將提供5000億韓元（約合4.43億美元）的新貸款，以及3000億韓元（約合2.66億美元）的新股本，以及將超過18000億韓元（約合16億美元）的現有債務延期。

這為海力士提供了一定的資金流動性，以抵禦存儲芯片的價格下滑。但是這並沒有讓海力士擺脫虧損，自2007年開始，海力士連續三年虧損。2010年，金鐘甲任期時間到期，經過KEB等六家債權方銀行推薦、投票，權伍哲成為了海力士的新任CEO。

2012年，SK集團收購海力士，自此海力士終於從資金匱乏的境地中脫離了出來。之後，2013、2014、2017、2018、2020年，DRAM連續數年成為增幅最大的IC細分領域，SK海力士業績也逐步上升，公司更是由無人問津的“爛攤子”變成了“香餑餑”。

2014年，SK海力士宣布其“未來願景”，計劃從2014年開始建設M14、M15、M16三座工廠，M16將在2021年2月份竣工，引進了最新的EUV光刻機；2019年，SK海力士又宣布，將在2022年後投資1千億美元新建四座工廠。

SK海力士的M16新廠

加大投資後的SK海力士在工藝研發和新型存儲技術上逐漸取得突破。

2021年7月，SK海力士宣布開始使用EUV設備量產1anm DRAM，這是第四代10nm DRAM工藝。12月，SK海力士宣布交付業界單片密度最大的DDR5 DRAM芯片，其每片密度為24Gb，高於1ynm工藝的DDR5 16Gb的密度，芯片速率提升了33%。

根據市場調研機構Gartner數據，2021年SK海力士營收達363.26億美元，較去年增長40.5%，營收規模僅次於三星和英特爾，是全球第三大半導體公司。

在新型存儲技術上，SK海力士今年2月16日稱，已開發出具有計算能力的下一代存儲芯片PIM（Processing In Memory）。基於這種存內計算方式，其GDDR6-AiM（Accelerator in memory）樣品與CPU或GPU的組合，比DRAM與CPU或GPU的組合計算速度快16倍，被期望用於機器學習、高性能計算以及大數據存儲與計算。

04 .

結語：隨半導體週期而動

SK海力士的39年風雨

而回顧SK海力士接近40年的歷史，存儲芯片的價格波動始終主導了眾多存儲公司的命運。奇夢達、爾必達等業內巨頭都已經不復存在，最終在存儲領域形成了三星、SK海力士和美光三大頭部玩家。

而SK海力士的起起伏伏更是展示了市場判斷對於企業經營的重要性。半導體市場由於其產線投產時間長的緣故，扎堆投資，就容易造成供過於求，進而使半導體公司出現虧損、生產線荒廢、人員解散，又會導致市場緊缺，價格上升，又開始建立新的或者改善原生產線。這種情況下，如何對市場週期進行預判，又如何度過低迷期，都對各家半導體公司管理人員提出了極高的要求。

此外，SK海力士也向我們展示了政府乾預這一雙刃劍的兩刃。韓國存儲半導體公司能夠快速壯大，背後無疑有著政府規劃的功勞，在海力士即將破產時，也是國有銀行對其施以援手。可是對於半導體企業來說，殘酷的市場競爭絕非簡單地依靠政府盲目擴張就能成功。

韓國此前作為半導體市場的挑戰者，與中國如今的情況有相同之處。SK海力士作為韓國半導體的代表之一，其傳奇經歷的背後或許也可以為中國半導體行業提供一些經驗。

參考信源：金捷幡《內存的故事》、哥倫比亞大學商學院《現代半導體：有史以來規模最大、最成功的亞洲企業重組》、觀研天下《2018年韓國半導體行業發展歷程及相關支持政策分析》