豐田合成正在利用其在GaN半導體（藍色LED和UV-C LED）方面的專業知識，開發下一代功率器件。豐田合成株式會社與大阪大學合作，成功地增加了用於氮化鎵（GaN）功率器件的基片直徑。

功率器件被廣泛用於工業機械、汽車、家用電器等領域的功率控制。隨著社會朝著碳中和的方向發展，下一代功率器件的實際應用和廣泛使用很有希望，因為它可以在控制可再生能源設備和電動汽車的大量功率時減少功率損失。氮化鎵功率器件是實現這一目標的手段之一，在開發這些器件時需要更高質量和更大直徑的氮化鎵襯底，以實現更高的生產力且降低成本。

在一個由日本環境部領導的項目（利用GaN技術實現脫碳社會和生活方式的領先創新項目，包括驗證基於GaN基材開發的應用產品的社會實施所帶來的二氧化碳減排）中，豐田合成公司和大阪大學採用了一種在鈉和鎵的液態金屬中生長氮化鎵晶體的方法（鈉通量法），製造了一個超過6英寸的高質量氮化鎵襯底（氮化鎵籽晶體），這是世界上最大的水平。他們接下來將為6英寸基板的大規模生產進行質量評估，並繼續提高質量和增加直徑大小（超過6英寸）。