幾十年來，科學家和工程師們一直在努力縮小晶體管的尺寸，且主流芯片製造商已將其最小特徵收縮到僅數十個原子的程度。儘管近年來的製程工藝迭代已經有所放緩，但半導體行業的“摩爾定律”並未就此劃上句點。此前許多人認為，5nm 會是晶體管柵極的一個極限。但由清華大學集成電路學院任天令教授帶領的一支團隊，剛剛在這方面取得了重大的研究突破。

擴展數據- 圖3：0.34 nm 柵長側壁晶體管的EDS 成像

據悉，晶體管柵極控制著電流從源極到漏極的流動，而所謂的量子隧道效應會會對它們的預期作用產生阻礙。

考慮到這方面的物理特性，一些研究團隊選擇了基於石墨烯和碳納米管等材料的探索方向，但距離功能設備的構建仍有很長一段路要走。

論文標題- 《柵極長度小於1nm 的垂直型二硫化鉬晶體管》

好消息是，在本週三（3 月9 日）出版的《自然》（Nature）期刊上，清華研究團隊介紹了其打造的具有史上最小柵極長度的晶體管。

而這項里程碑式的成就，得益於對石墨烯和二硫化鉬材料的結合—— 將之堆疊成兩階樓梯狀的結構而實現。

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以下是清華大學集成電路學院的官方報導（傳送門）：

【集成電路學院任天令團隊在小尺寸晶體管研究方面取得重大突破- 首次實現亞1納米柵長晶體管】

圖1 – 亞1納米柵長晶體管結構示意圖

近日，清華大學集成電路學院任天令教授團隊在小尺寸晶體管研究方面取得重大突破，首次實現了具有亞1納米柵極長度的晶體管，並具有良好的電學性能。

晶體管作為芯片的核心元器件，更小的柵極尺寸能讓芯片上集成更多的晶體管，並帶來性能的提升。Intel公司創始人之一的戈登·摩爾（Gordon Moore）在1965提出：

“集成電路芯片上可容納的晶體管數目，每隔18-24個月便會增加一倍，微處理器的性能提高一倍，或價格下降一半。”這在集成電路領域被稱為“摩爾定律”。

過去幾十年晶體管的柵極尺寸在摩爾定律的推動下不斷微縮，然而近年來，隨著晶體管的物理尺寸進入納米尺度，造成電子遷移率降低、漏電流增大、靜態功耗增大等短溝道效應越來越嚴重，這使得新結構和新材料的開發迫在眉睫。

根據信息資源詞典系統（IRDS2021）報導，目前主流工業界晶體管的柵極尺寸在12nm以上，如何促進晶體管關鍵尺寸的進一步微縮，引起了業界研究人員的廣泛關注。

圖2 – 隨著摩爾定律的發展，晶體管柵長逐步微縮，本工作實現了亞1納米柵長的晶體管

學術界在極短柵長晶體管方面做出了探索。2012年，日本產業技術綜合研究所在國際電子器件大會（IEDM）報導了基於絕緣襯底上矽實現V形的平面無結型矽基晶體管，等效的物理柵長僅為3納米。

2016年，美國的勞倫斯伯克利國家實驗室和斯坦福大學在《科學》（Science）期刊報導了基於金屬性碳納米管材料實現了物理柵長為1納米的平面硫化鉬晶體管。

為進一步突破1納米以下柵長晶體管的瓶頸，本研究團隊巧妙利用石墨烯薄膜超薄的單原子層厚度和優異的導電性能作為柵極，通過石墨烯側向電場來控制垂直的MoS2溝道的開關，從而實現等效的物理柵長為0.34nm。

通過在石墨烯表面沉積金屬鋁並自然氧化的方式，完成了對石墨烯垂直方向電場的屏蔽。再使用原子層沉積的二氧化鉿作為柵極介質、化學氣相沉積的單層二維二硫化鉬薄膜作為溝道。

具體器件結構、工藝流程、完成實物圖如下所示：

圖3 – 亞1納米柵長晶體管器件工藝流程，示意圖，表徵圖以及實物圖

研究發現，由於單層二維二硫化鉬薄膜相較於體矽材料具有更大的有效電子質量和更低的介電常數，在超窄亞1納米物理柵長控制下，晶體管能有效的開啟、關閉，其關態電流在pA量級，開關比可達10 ⁵，亞閾值擺幅約117mV/dec。

大量、多組實驗測試數據結果也驗證了該結構下的大規模應用潛力。基於工藝計算機輔助設計（TCAD）的仿真結果進一步表明了石墨烯邊緣電場對垂直二硫化鉬溝道的有效調控，預測了在同時縮短溝道長度條件下，晶體管的電學性能情況。

這項工作推動了摩爾定律進一步發展到亞1納米級別，同時為二維薄膜在未來集成電路的應用提供了參考依據。

圖4 – 統計目前工業界和學術界晶體管柵極長度微縮的發展情況，本工作率先達到了亞1納米

上述相關成果以“具有亞1納米柵極長度的垂直硫化鉬晶體管”（Vertical MoS2 transistors with sub-1-nm gate lengths）為題，於3月10日在線發表在國際頂級學術期刊《自然》（Nature）上。

论文通讯作者为清华大学集成电路学院任天令教授和田禾副教授，清华大学集成电路学院2018级博士生吴凡、田禾副教授、2019级博士生沈阳为共同第一作者，其他参加研究的作者包括清华大学集成电路学院2020级硕士生侯展、2018级硕士生任杰、2022级博士生苟广洋、杨轶副教授和华东师范大学通信与电子工程学院孙亚宾副教授。

任天令教授團隊長期致力於二維材料器件技術研究，從材料、器件結構、工藝、系統集成等多層次實現創新突破，先後在《自然》（Nature）、《自然·電子》（Nature Electronics）、《自然·通訊》（Nature Communications）等知名期刊以及國際電子器件會議（IEDM）等領域內頂級國際學術會議上發表多篇論文。

清華大學的研究人員得到了國家自然科學基金委、科技部重點研發計劃、北京市自然基金委、北京信息科學與技術國家研究中心等的支持。