集邦諮詢（TrendForce）指出：包括碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）在內的具有高功率與高頻特性的寬帶隙（WBG）半導體，在電動汽車（EV）和快充電池市場具有相當大的發展潛力。預計第三代功率半導體的產值，將從2021 年的9.8 億美元、增長到2025 年的47.1 億美元—— 符合年增長率（CAGR）為48% 。

（圖自：TrendForce）

首先展望下大功率的碳化矽（SiC）器件，其能夠在儲能、風電、光伏、EV 新能源等領域發揮重要的作用。

目前市面上的電動汽車，其功率半導體仍更加依賴於矽基材料（IGBT / MOSFET）。

不過隨著EV 電池動力系統逐漸發展到800V 以上的電壓等級，SiC 將在高壓系統中具有更高的性能表現。

隨著SiC 逐步替代部分矽基礎設計，整車架構和性能都將迎來大幅改進和提升。預計到2025 年的時候，SiC 功率半導體的市場規模可達到33.98 億美元。

其次是適用於高頻場景的氮化鎵（GaN）旗艦，其在手機/ 通訊設備、平板/ 筆記本電腦上具有相當大的應用前景。

與傳統快充方案相比，GaN 具有更高的功率密度，能夠在更加輕巧、便攜的封裝內實現更快的充電速度。

事實證明，這方面的優勢對OEM / ODM 廠商有極大的吸引力，其中不少廠家早已積極投身於此類材料的研發。

預計到2025 年的時候，GaN 功率半導體市場規模可達到13.2 億美元。此外集邦諮詢強調，第三代功率半導體基板相較於傳統矽基板的製造難度和成本也都更高。

好消息是，目前各大基板供應商都呈現了努力發展的態勢。隨著Wolfspeed、II-VI、Qromis 等公司相繼擴大產能，預計今年下半年可實現8 英寸基板的量產，且未來幾年仍有相當大的持續增長空間。