SK 海力士剛剛宣佈了 HBM3 DRAM 記憶體的最新開發進展，可知新一代記憶體標準不僅帶來了更高的頻寬，還可通過垂直堆疊來增加容量。 從去年 7 月量產 HBM2E 記憶體開始，該公司就已經在著手 HBM3 新品的研發。 隨著今日的公告，我們得知SK海力士將帶來兩款衍生型號。

（來自：SK Hynix官網）

除了基於 8-Hi 堆疊的 16GB SKU，SK 海力士還計劃推出由 2GB DRAM 組成 12-Hi 堆棧的 24GB SKU，此外該公司提到其已將 DRAM 晶片的層高縮減至 30 μm 。

負責 DRAM 開發的執行副總裁 Seon-yong Cha 表示：

自推出全球首款 HBM DRAM 以來，SK 海力士在引領 HBM2E 市場之後，又成功開發了業內首款 HBM3 DRAM 。

我們將繼續努力鞏固自身在高端記憶體市場的領導地位，並通過提供符合ESG管理標準的產品，來説明提升客戶們的價值。

性能方面，SK 海力士預計其 HBM3 DRAM 的每個堆疊可提供 819 GB/s 的頻寬，較 460 GB/s 的上一代 HBM2E DRAM 提升了 78% 。

以英偉達 A100 加速卡為例，若在其 GPU 基板上整合 6 個 HBM2E DRAM 堆棧，總頻寬可衝擊 5 TB/s 。 然而目前的的產品，僅受限於 2.0 TB/s 。

此外如果使用 24GB 的 HBM3 DRAM 晶片，其理論總容量可達到 144 GB 。 即使考慮到 5 / 6 的良率，也還有 120GB 可用。

WCCFTech 推測，英偉達 Ampere 和AMD CDNA 2 的繼任者（Ampere Next 與 CDNA 3），有望率先採用 HBM3 記憶體。

那樣來年的高性能數據中心和機器學習平臺，將極大地受益於此。 早些時候，Synopsys 還宣佈其正在增加具有 HBM3 IP 和驗證解決方案的多晶片架構設計。