美光全球業務執行副總裁Manish Bhatia在接受日經亞洲評論採訪時表示，美光正與各國政府就擴大在日本、歐洲和其他地區的生產規模進行談判。 不過，Bhatia強調，美光的全球擴張旨在滿足需求增長，不會導致存儲晶元市場供應過剩。 Bhatia表示，美光正與日本、中國臺灣、美國和其他國家或地區政府討論下一步的計劃，可能包括將EUV光刻設備引入日本在內的各個工廠。

Bhatia稱，公司目前還沒有針對特定國家的具體投資計劃。 美光此前曾宣佈，到2024年，將其在中國臺灣的DRAM工廠引進EUV生產技術。

美光已經在美國、中國臺灣、日本和新加坡設有製造工廠，並在中國大陸和馬來西亞設有封裝工廠。 NAND快閃記憶體最重要的生產基地在新加坡。 目前，美光在歐洲沒有生產基地，但Bhatia表示，美光正與歐洲各國政府開展對話。

他指出，隨著主要經濟體開始審視各自的半導體政策，美光希望強調存儲晶元作為半導體生態系統中不斷增長的一部分的重要性。 大多數政策討論集中在處理器、微控制器、圖像感測器和其他類型的邏輯晶元上，而不是存儲晶元。

但他同時表示，美光最近宣佈的1500億美元計劃並非全是產能擴張，還包括很大一部分用於研發的費用。 他說，其目標不是增加自己的市場份額，而是確保美光能與市場一起擴大。

Bhatia強調，公司目標是根據市場需求增長，並在產品群組中擁有更為豐富的產品線，以增加營收，但並不打算搶佔更多的市場份額。 因為這是一種不負責任的增長方式，將會導致供應過剩。

Bhatia表示，儘管美光最近下調了其業務指引，但這只適用於短期，一旦其他元件短缺開始緩解，DRAM需求將保持強勁。

現在還不是下行趨勢的開始。 美光仍預計2022年的營收和盈利能力將達到創紀錄水準。 ”