據外媒報導，全球最大存儲晶元製造商三星電子週二宣佈，該公司開始使用極紫外光刻（EUV）技術批量生產業界最小的 14 奈米 DRAM 晶片，這有助於其鞏固在儲存行業的領導地位。 繼去年 3 月出貨業界首款 EUV DRAM 之後，三星電子已將 EUV 層的數量增加到 5 層，為其DDR5 解決方案提供當今最精細、最先進的 DRAM 生產工藝。

DDR5 是下一代 DRAM 標準，與 DDR4 相比，它具有速度快、密度高、功耗低的特點。 它還針對大數據、人工智慧 （AI） 和機器學習等數據密集型應用進行了優化。

三星電子錶示 ，EUV 技術減少了多圖案繪製中的重複步驟，提高了圖案繪製的準確性，從而實現了更好的性能和更高的產量，並縮短了開發時間。

三星電子還稱，即將開始量產 DDR5， 並預計最新的工藝將使生產率提高 20%， 能耗降低近 20%。 利用最新的 DDR5 標準，三星 14 奈米 DRAM 將説明解鎖前所未有的高達 7.2Gbps 的速度，這是 DDR4 速度的 2 倍多。

三星電子高級副總裁兼 DRAM 產品與技術負責人 Lee Joo-Young 稱：「通過專注關鍵的圖形技術創新，我們已經引領了 DRAM 市場近 30 年。 今天，三星用多層 EUV 實現了另一個技術里程碑，這是傳統的氟化氬 （ARF） 工藝所不可能實現的壯舉。 ”

他補充說：「在這一進步的基礎上，我們將繼續提供差異化程度最高的記憶體解決方案，充分滿足 5G、AI 和元宇宙等數據驅動型領域對更高性能和容量的需求。 ”