5nm晶片製程工藝已順利量產的台積電和三星電子，都在全力推進3nm工藝的量產事宜，以便佔得先機，進而獲得更多的代工訂單。 而韓國媒體最新的報導顯示，三星電子已確保3nm製程工藝有穩定的良品率，他們計劃在明年6月份開始量產，代工相關的晶元。

從韓國媒體的報導來看，三星電子3nm製程工藝計劃在明年6月份開始量產，是三星電子方面的一名高管，當地時間週三在以在線方式舉行的三星代工論壇上透露的。

三星電子的3nm工藝，並未繼續採用鰭式場效應晶體管（FinFET）技術，而是採用全環繞柵極晶體管（GAA）技術。 三星方面表示，採用這一工藝代工的晶元，性能較5nm將提升50%，能耗降低50%。

三星電子方面對3nm工藝寄予厚望，多年前就已開始研發事宜。 在今年6月底，有外媒在報導中表示，三星電子的3nm工藝已成功流片，距離量產又更近了一步。

目前在推進3nm工藝的另一家，是當前全球最大的晶元代工商台積電，在近幾個季度的財報分析師電話會議上，台積電CEO魏哲家均透露他們的這一工藝在按計劃推進，計劃今年下半年風險試產，明年大規模量產。