三星曾計劃在今年開始製造更快、更高效的處理器，但技術進步的進展不如預期將使得全環繞柵極晶體管工藝的晶片將在2022年才能夠出現。 這家韓國電子巨頭週三在其Samsung Foundry Forum上分享了這一轉變的時程表。 這一延遲意味著依賴三星的客戶將不得不等待更長時間來利用這一領先技術。 使用該公司服務的最大公司包括手機晶片設計商高通公司、伺服器製造商IBM和三星公司本身。

該公司現在計劃在2022年上半年開始為客戶生產第一批基於3奈米的晶元設計。 與5納米晶片相比，採用多橋通道場效應晶體管（MBCFET）的首個3奈米全門（GAA）工藝節點將使面積減少35%，性能提高30%，功耗降低50%。

不過，對這些客戶來說，好消息是，三星還宣佈了之後在下一代製造方面的進展，全面的工藝改進應該在2025年到來。 三星表示，這應該會在晶元性能、電源效率和電子產品的小型化方面帶來另一次進步。

三星的晶元製造對手台積電在8月披露了類似技術的延遲，而英特爾正在推出自己的代工業務，作為旨在奪回被台積電和三星奪去的領導地位的恢復計劃的一部分，該時程表的滑落稍微緩解了英特爾的壓力。

全球範圍看，處理器業務正面臨著極大的壓力，隨著大流行病推動了個人電腦的銷售、智慧手機的使用以及數據中心的在線服務，對處理器的需求已經超過了製造能力。 晶片短缺已經阻礙了個人電腦、遊戲機、汽車和其他依賴全球電子供應鏈的產品的銷售。

三星代工企業高級副總裁Shawn Han說，根據三星與客戶的溝通，處理器的短缺在2022年前不會緩解。 他在三星論壇舉辦之前的一次簡報會上說：”在我們看來，這將再持續六到九個月，儘管我們正在投資，其他代工供應商也在增加他們的產能。 “

轉向下一代製造技術是異常複雜的。 晶片是由被稱為晶體管的數十億個電子元件組成的，每一個都比一粒灰塵小得多。 晶片製造廠，即晶圓廠，在矽片上蝕刻電路圖案，其過程需要幾十個步驟，耗時數月。

通常而言計算晶元的進展來自於晶體管的微型化，更多的晶體管可以擠在一個晶元上，提高其速度並降低其功耗。 三星的下一代工藝，它稱之為3GAE，採用了一種被稱為”全環繞柵極晶體管”（GAA）的技術。 這是該技術的一個早期版本。

在2023年，三星預計將通過一個名為3GAP的更成熟的版本達到高產量。 名字中的3指的是3奈米的測量，雖然不再與晶元電子的尺寸直接相關，但它是製造方法進步的一個標籤。

然後在2025年，該公司計劃轉向第二種更先進的全門控技術，它稱之為2GAP。 這種製造方法將是三星2奈米的第一代產品。

隨著晶元變得越來越複雜，它們往往也變得越來越昂貴，這就是為什麼許多晶元買家堅持使用GlobalFoundries等公司的舊的、更便宜的製造工藝，但三星相信它能使新的製造工藝在經濟上對客戶具有吸引力。

“即使GAA是一項困難的技術，我們仍將努力降低每個晶體管的成本，”三星代工戰略團隊負責人Moonsoo Kang說。 “這一趨勢將繼續下去”。