國產長鑫內存進步神速:19nm DDR4芯片產能翻番、17nm年底量產
合肥長鑫去年9月份正式量產國產10nm級(10nm~19nm)DDR4內存芯片(8Gb),據業內最新消息,長鑫的這款19nm晶圓芯片的產能將在本季度末從2萬片/月提高到4萬片/月。不僅如此,長鑫的17nm工藝芯片如期推進,年底前將大規模量產。
長鑫目前擁有一座12英寸晶圓廠,總產能12萬片/月。
值得一提的是,本週,長鑫與Rambus(中文名藍鉑世)達成協議,獲得了後者的DRAM技術授權。更早些時候,長鑫通過與WiLAN全資子公司Polaris Innovations達成協議,獲得了奇夢達一千多萬份有關DRAM的技術文件及2.8TB數據。
據悉,長鑫存儲2016年5月在安徽合肥啟動,總投資1500億元,專業從事DRAM內存的研發、生產和銷售。