在長江存儲不斷突破3D閃存的同時，國內另一家存儲企業合肥長鑫也攻關DDR內存，去年9月份正式量產10nm內存。日前長鑫又宣布與美國Rambus（中文名藍鉑世）達成協議，獲得了後者的DRAM技術授權。

與長鑫合作的美國Rambus公司雖然也是NPE(Non-Practicing Entity，非專利執行實體)公司，但在內存技術上還是很有實力的，過去多年中三星、SK海力士、Intel、高通、NVIDIA等公司都跟他們簽訂了DRAM技術授權協議。

長鑫與Rambus簽署的合作協議也涉及DRAM技術授權，不過具體的合作內容及授權費用沒有公佈，兩邊對此合作倒是都很滿意。

長鑫存儲董事長兼CEO朱一明表示：“與藍鉑世達成的協議再次表明，長鑫存儲高度重視知識產權相關的國際規則，持續強化知識產權組合。公司致力於通過自主研發與國際合作，不斷增加在半導體核心技術和高價值知識產權方面的積累，並以此為基礎實現可持續發展，穩步提升市場競爭力。 ”

長鑫存儲2016年5月在安徽合肥啟動，總投資1500億元，專業從事DRAM內存的研發、生產和銷售，目前已建成第一座300毫米晶圓廠並投產，並通過專用研發線快速迭代研發，結合當前先進設備大幅度改進工藝，開發出了獨有的技術體系。

2019年9月份，合肥長鑫公司宣布總投資1500億元的合肥長鑫內存芯片自主製造項目投產，將生產國產第一代10nm級8Gb DDR4內存。

在內存技術上，長鑫存儲的董事長兼CEO朱一明去年披露，他們從已破產的奇夢達公司，獲得了一千多萬份有關DRAM的技術文件及2.8TB數據，在此基礎上改進、研發自主產權的內存芯片，耗資超過25億美元。

在自研技術之外，長鑫也免不了要跟其他公司合作授權，就在去年底，長鑫存儲從Polaris獲得了大量DRAM技術專利的實施許可，而這些專利來自Polaris 2015年6月從奇夢達母公司英飛凌購得的專利組合。