近日，台積電正式披露了其最新3nm工藝的細節詳情，其晶體管密度達到了破天荒的2.5億/mm²！作為參考，採用台積電7nm EUV工藝的麒麟990 5G尺寸113.31mm²，晶體管密度103億，平均下來是0.9億/mm²，3nm工藝晶體管密度是7nm的3.6倍。這個密度形象化比喻一下，就是將奔騰4處理器縮小到針頭大小。

性能提升上，台積電5nm較7nm性能提升15%，能耗提升30%，而3nm較5nm性能提升7%，能耗提升15%。

此外台積電還表示，3nm工藝研發符合預期，並沒有受到疫情影響，預計在2021年進入風險試產階段，2022年下半年量產。

工藝上，台積電評估多種選擇後認為現行的FinFET工藝在成本及能效上更佳，所以3nm首發依然會是FinFET晶體管技術。

但台積電老對手三星則押寶3nm節點翻身，所以進度及技術選擇都很激進，將會淘汰FinFET晶體管直接使用GAA環繞柵極晶體管。