由華人科學家胡正明教授發明的FinFET（鰭式場效應晶體管）預計在5nm節點之後走向終結，三星的方案是GAAFET（環繞柵極場效應晶體管）。三星日前簡要介紹了GAAFET中核心技術MCBFET（多橋溝道場效應晶體管），基於它打造的3nm芯片，相較於7nm FinFET,可以減少50%的能耗，增加30%的性能。

按照三星的說法，他們預計3nm晶體管的矽間距縮減45%之多。

據悉，MCBFET允許晶體管向上堆疊、並且自定義寬度，以適應低功耗或者高性能產品的不同要求。

另外，三星規劃3nm量產的時間是2022年，這和上週的報導契合。推遲的原因主要是，EUV光刻機等關鍵設備在物流上的延遲。

至於台積電的3nm，據說第一代還是FinFET，總投資高達500億美元，風險試產也推遲到了今年10月。