今天紫光旗下的長江存儲邁出了國產閃存的重要一步，已經開始量產64層堆棧的3D閃存，基於長江存儲研發的Xstacking技術，核心容量256Gb。除了64層3D閃存量產之外，長江存儲今天還宣布了另外一個重要消息，那就是Xstacking 2.0堆棧技術。

該技術將在長江存儲第三代3D閃存（第一代是32層，小量生產，目前量產的64層是第二代）上，相關技術將在即將召開的IC China 2019會議上公佈。

隨著3D閃存堆棧層數的提高，面臨的一大挑戰就是外圍IO電路不斷增長，擠占閃存核心的容量，通常IO外圍電路要占到20-30%的面積，隨著堆棧層數提升到128層或者更高，外圍電路佔比可能高達50%，所以減少這部分電路的面積就成為3D閃存的一個重要考驗。

長江存儲的Xstacking技術是基於武漢新芯科技的CIS傳感器芯片上開發的堆棧技術，它把外圍電路置於存儲單元之上，外圍電路和存儲單元是2片晶圓，2顆裸芯片的大小是一樣的，這就意味著其CMOS可用面積遠大於其他傳統3D NAND架構，從而實現更高的存儲密度。

不僅是提高容量利用率，基於該技術節省出來的CMOS部分，除了控制電路，也為引入NAND外圍電路的創新功能以實現NAND閃存的定制化提供了無限可能。

根據紫光的信息，Xtacking可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利於選擇更先進的製造工藝。當兩片晶圓各自完工後，創新的Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。

相比傳統3D NAND閃存架構，Xtacking可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市週期。

目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目標值是1.4Gbps，而大多數NAND供應商僅能供應1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking技術我們有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，與DRAM DDR4的I/O速度相當。

根據官方消息，現在基於Xstacking堆棧技術的64層閃存主要用於固態硬盤、UFS等產品，以滿足數據中心，以及企業級服務器、個人電腦和移動設備製造商的需求。基於Xstacking 2.0技術的第三代閃存被廣泛應用於數據中心，企業級服務器、個人電腦和移動設備等領域，並將開啟高性能、定制化NAND解決方案的全新篇章，整體上定位更高一些。

由於詳細資料還缺公開，現在還不能確定Xstacking 2.0技術的第三代閃存到底是多少層的，不過從之前的爆料來看，長江存儲準備在2020年縮短與三星、東芝等公司的技術差距，所以會跳過96層，直接進入128層堆棧閃存，這樣明年量產的話就能接近國際先進水平了。