三星推出了業界首款符合HBM2E規範的內存。該公司新的Flashbolt存儲器堆棧將性能提高了33%，並提供每個芯片雙倍容量以及每個封裝的雙倍容量。三星在GTC上推出了HBM2E DRAM，這是一個合適的場合，因為NVIDIA因其廣受歡迎的GV100處理器而成為HBM2內存最大的用戶之一。

三星的Flashbolt KGSD基於八個16-Gb存儲器芯片，這些芯片使用TSV（通過矽通孔）以8-Hi堆棧配置互連。每個Flashbolt封裝都具有1024位總線，每個引腳的數據傳輸速率為3.2 Gbps，因此每KGSD可提供高達410GB/s的帶寬。

三星將其Flashbolt KGSD定位瞄準下一代數據中心，HPC，AI/ML和圖形應用程序。通過使用具有4096位存儲器接口的處理器的四個Flashbolt堆棧，開發人員可以獲得具有1.64TB/s峰值帶寬的64GB內存，這對於容量和帶寬需求大的芯片來說將是一個很大的優勢。使用兩個KGSD，它們可獲得32GB的DRAM，峰值帶寬為820GB/s。

三星表示自己尚未開始批量生產Flashbolt HBM2E內存，但是已完成該技術的開發。