加州大學戴維斯分校物理學教授Sergey Savrasov在Nature Materials上發表了一篇論文。稱中國和加州大學戴維斯分校的研究人員製造了具有高導電率而又非常薄的鈮砷層，這種材料被稱為Weyl半金屬。Sergey Savrasov表示，這種材料在室溫下的導電率約為銅的三倍。

更為神奇的是，該材料表面除了對電有良好的傳導性還因為拓撲效應極難吸收雜質，不易產生化學變化，這意味著該材料不會隨著使用時間變長而使導電性降低，有著極為廣闊的半導體工業應用前景。

而由於雜質較少幾近沒有，所以電子不會在雜質中反彈和散射，因此電流在電路中所散發的熱量也會大幅度降低，為製造更大規模的集成電路提供了基礎條件。

這下那幫芯片工程師不用糾結幾納米的工藝製程而頭疼了，不過這個技術剛剛問世，離實際應用還有相當遠的距離，需要大家耐心等待了。