外媒報導稱，存儲大廠西部數據（WD）正在開發自家的低延遲閃存，與傳統3D NAND相比，其能夠帶來更高的性能和耐用性，旨在與英特爾傲騰產品展開競爭。在本週的Storage Field Day上，西數透露該技術介於3D NAND與DRAM之間，類似於英特爾傲騰和三星Z-NAND 。其訪問延遲在微妙級，使用1-bit或2-bit的存儲單元。

作為一款性能向的定制設備，LLF 存儲的成本是DRAM 的1 / 10 。但是按照當下的每GB 價格計算，其成本是3D NAND 存儲的20 倍。換言之，這項技術只會在數據中心或高端工作站普及開來。

西數沒有透露其低延遲閃存的所有細節，也無法說明它是否與去年推出的東芝 XL-Flash低延遲3D NAND或其它特殊類型的閃存的關聯有關。

至於實際的LLF 產品將於何時上市，該公司不願表態。即便西數的LLF 基於BiCS4 的3D NAND 存儲技術打造，即日起開始生產的難度也不大。

有趣的是，儘管西數的低延遲閃存將與英特爾傲騰和三星Z-NAND SSD 展開競爭，但該公司並未將LLF 稱為“存儲級內存”（SCM）。

從長遠來看，西數正在秘密基於ReRAM的存儲級內存產品，並與惠普攜手開發基於憶阻器的SCM硬件。

當然，研發往往需要多年。在下一代技術投入使用前，業界還是會著力於更成熟的NAND 閃存，來滿足客戶對於容量和性能的需求。

[via AnandTech ]