就在不久前，Intel宣布已經準備好大規模量產MRAM(磁阻式隨機訪問內存)，這種綜合了RAM內存、NAND閃存的新型非易失性存儲介質斷電後不會丟失數據，寫入速度則數千倍於閃存，可以兼做內存和硬盤，甚至統一兩者。同時很關鍵的是，它對製造工藝要求低，良品率也高得多，可以更好地控製成本，成品價格自然不會太離譜。

現在，三星電子又宣布，已經全球第一家商業化規模量產eMRAM(嵌入式磁阻內存)，而且用的是看上去有點“老舊”的28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上矽)成熟工藝，可廣泛應用於MCU微控制器、IoT物聯網、AI人工智能領域。

三星指出，基於放電存儲操作的eFlash(嵌入式閃存)已經越來越難以進步，SLC、MLC、TLC、QLC、OLC一路走下來，密度越來越高，但是壽命越來越短，主控和算法不得不進行越來越複雜的補償。

eMRAM則是極佳的替代者，因為它是基於磁阻的存儲，擴展性非常好，在非易失性、隨機訪問、壽命耐久性等方面也遠勝傳統RAM。

使用28nm工藝量產成功，則進一步證明三星已經克服了eMRAM量產的技術難題，工藝上更不是問題。

三星表示，28nm FD-SOI工藝的eMRAM可以帶來前所未有的能耗、速度優勢。由於不需要在寫入數據前進行擦除循環，eMRAM的寫入速度可以達到eFlash的大約一千倍，而且電壓、功耗低得多，待機狀態下完全不會耗電，因此能效極高。

另外，eMRAM可以輕易嵌入工藝後端，只需增加少數幾個層即可，因此對於前端工藝要求非常低，可以輕易地使用現有工藝生產線進行製造，包括Bulk、Fin、FD-SOI晶體管。

三星還計劃今年內流片1Gb(128MB)容量的eMRAM芯片。