近年來，隨著智能手機的迅猛發展，消費者對於存儲容量的需求也變得越來越高。好消息是，今日，三星在其官網上宣布了業界首款容量高達1TB的“嵌入式通用閃存存儲器”（eUFS）。其基於第五代V-NAND技術打造，容量是64GB版本的20倍，速度是典型microSD存儲卡的10倍，特別適合數據密集型應用。

作為全球技術領先的存儲器製造商，三星電子將從即日起量產業界首款1TB 嵌入式通用閃存（eUFS 2.1），能夠為下一代移動應用帶來更優秀的使用體驗。

三星在四年前推出了業界首個128GB 的​​eUFS 解決方案，但現在已經將智能手機領域的存儲標杆推向了TB 級別，速度與容量媲美高級筆記本電腦。

三星電子內存營銷執行副總裁Cheol Choi 表示：“預計1TB eUFS 將在推動下一代移動設備的發展上起到關鍵的作用”。

更重要的是，三星致力於保障供應鍊和產能的穩定可靠，及時支持推出即將推出的新款期間智能機，以加速全球移動市場的增長。

在相同的封裝尺寸（11.5×13.0 m㎡）內，1TB eUFS較先前的512GB版本容量提升了一倍、堆疊了16層三星最先進的512Gb V-NAND閃存和新的專屬控制器。

有了1TB的容量，智能手機現在錄製260段時長10分鐘的4K UHD（3840×2160）。相比之下，64GB eUFS機型只能夠存儲大約13段同類視頻。

1TB eUFS 還具有出色的速度，允許用戶在極短的時間內傳輸大量多媒體內容—— 高達1000 MB/s。

作為對比，傳統2.5 英寸SATA 固態硬盤（SSD）的連續讀取速度，只有1TB eUFS 的一半左右。

這意味著，我們可以在5 秒的時間內，將5GB 大小的全高清視頻從NVMe SSD 中拷出—— 這是典型的microSD 存儲卡的10 倍速度。

此外，1TB eUFS 的隨機讀取速度，也較512GB 版本的提高了38％（最高可達58k IOPS）。隨機寫入比高性能microSD 卡（100 IOPS）快500倍，最高可達50k IOPS 。

三星計劃於2019 上半年，在韓國Pyeongtaek 工廠擴大第五代512Gb V-NAND 的產量，以滿足全球移動設備製造商對1TB eUFS 的強勁需求。

[來自：Samsung ]