三星Galaxy S10有望首發LPDDR5內存和UFS 3.0閃存
安卓的新一輪硬件“軍備競賽”似乎要開始了,包括7nm CPU、LPDDR5、UFS 3.0等……來自國外爆料人Samsung_News_的消息,他聽聞三星Galaxy S10將搭載LPDDR5 RAM。去年夏季,三星宣布開發出首款LPDDR5-6400內存芯片,基於10nm級(10nm~20nm)工藝,單晶片容量8Gb。
除了速度的提升,LPDDR5內存芯片相較LPDDR4X,功耗還減少了30%,可以說十分優秀。
不過,這份爆料需要謹慎看待,因為去年10月的在港舉辦的高通4G/5G峰會上,三星人士透露,LPDDR5內存計劃2020年商用,只是當時倒是說,UFS 3.0閃存會在今年上半年商用,首批解決方案涵蓋供128GB、256GB和512GB三種容量,最大數據傳輸速率為2000MB/s。
從這個角度來看,S 10搭載UFS 3.0的可能性比LPDDR5更高,畢竟驍龍855公佈的參數中也只提到了對UFS 3.0的支持。
三星已經宣布,將於北京時間2月21日凌晨3點發布Galaxy S10系列新品,華爾街稱,三星還會在本次活動上同時展示軟硬件完成的折疊屏手機預量產機。