根據韓國媒體通報，三星電子的第六代10奈米級1c DRAM製程開發進度出現延遲，預計完成時間從2024年年底延至2025年6月。這項延期意味著原計劃於2025年下半年量產的第六代高頻寬記憶體（HBM4）也面臨不確定性。

三星在2024年底向市場交付了首個測試晶片，但後續生產良率未達預期，導致開發時間延長，據市場人士透露，三星計劃在未來六個月內將良率提升至約70%。

依照過往經驗，每一代製程的開發週期通常為18個月左右，然而，自2022年12月三星開發出第五代10奈米級1b DRAM製程並宣布量產以來，關於1c DRAM的進展一直未有明確消息。

此次1c DRAM製程的延遲不僅影響了其核心產品DDR5記憶體的量產時間，也波及了高頻寬記憶體（HBM）的開發。

如果1c DRAM的量產延後至2025年底，HBM的量產時間可能會在2025年後，這與三星先前計畫在2025年下半年量產HBM4的目標相悖，進而影響三星在HBM市場的競爭力。

韓國半導體產業人士表示，三星正在修改1c DRAM製程技術的部分設計，以盡快達成量產目標，然而能否在預定時間內實現量產，仍有不確定性。