AMD將在台積電3nm製程上建構Zen 6 CCD 4nm則用於下一代cIOD和sIOD
據傳AMD 將在3 奈米台積電N3E 代工節點上製造實現”Zen 6 “微架構的下一代CCD(核心複合晶片)。 這是來自Chiphell 論壇的一組傳言的一部分,該論壇對過去有關AMD 的傳言進行了正確的解釋。
顯然,AMD 也將為其下一代製程更新I/O 晶片,在4 奈米代工節點(可能是台積電N4C)上製造這些晶片。 與台積電N5 相比,台積電N3E 節點的速度提高了20%,功耗降低了30%,邏輯密度提高了約60%,而該公司目前用於”Zen 5 “晶片的台積電N4P 節點與N5 相比,邏輯密度和功耗僅有微小提高。
最有趣的消息可能是新一代 I/O 芯片。 AMD 将在 4 纳米节点上制造这些芯片,这比当前 I/O 芯片所采用的 6 纳米节点有了显著提升。 在客户端方面,4 纳米工艺将使 AMD 能够为新的 cIOD 提供更新的 iGPU,很可能是基于更新的图形架构,如 RDNA 3.5。 这也将使 AMD 有机会为其台式机处理器配备 NPU。
此外,AMD 還將有機會更新其關鍵I/O 組件,例如DDR5 記憶體控制器,以支援CUDIMM 解鎖的更高記憶體速度。 預計在PCIe 方面不會有任何更新,因為AMD 預計將繼續使用Socket AM5,這決定了cIOD 可以提供28 條PCIe Gen 5 通道。 至多,處理器提供的USB 介面可以透過片上主機控制器更新為USB4。
在伺服器方面,新一代sIOD 將為時脈驅動程式支援的DDR5 記憶體速度帶來急需的提升。 根據Radeon RX 9000 系列和RDNA 4 在市場上的表現,AMD 可能會憑藉其下一代UDNA 架構重新進入發燒級市場,該架構將同時用於圖形和計算。 該公司的下一代獨立GPU 將採用台積電N3E 代工節點。