Lam Research Corporation 今天宣布，其創新的干光刻膠技術已獲得奈米電子和數位技術領域領先的研究和創新中心imec 的認證，可直接印刷2 奈米及以下的28 奈米間距線路後端(BEOL) 邏輯。

乾光阻是Lam公司推出的一種先進的圖案技術，它提高了極紫外線（EUV）光刻技術的分辨率、生產率和產量，而極紫外線（EUV）光刻技術是用於生產下一代半導體裝置的關鍵技術。 “

隨著晶片製造商向先進技術節點邁進，電晶體特徵和間距尺寸不斷變小。 雄心勃勃的下一代設備路線圖需要直接印刷28 nm 間距BEOL 以實現擴展。 

在imec，Lam 的28 nm 間距乾光阻製程與低NA EUV 掃描器配對，並可擴展到高NA EUV 掃描器。 它們提高了極紫外光靈敏度和每個晶圓通道的分辨率，從而改善了成本、性能和產量。 此外，乾光阻與現有的濕式化學光阻製程相比，能耗更低，原料用量減少五到十倍，因此具有重要的永續發展優勢。

 imec 製程技術副總裁Steven Scheer 表示：”透過聯合研發，imec 成為了設備製造商的中立合作夥伴，展示新材料和設備的可行性，支援製程開發，並為整合設備製造商和代工廠提供早期使用創新工藝的機會，從而加速他們的製造路線圖。