在CES 2025 上，我們發現了將推動高階NVMe Gen 5 SSD 普及的SSD 控制器。到目前為止，高階Gen 5 SSD 由Phison（群聯） 的E26 系列控制器驅動，該控制器基於台積電的12 nm 製程製造。該公司週一推出了新的E28 系列控制器（全名PS5028-E28）。該晶片基於更先進的台積電6 nm 製程製造。新製程使Phison 能夠大幅降低其NAND 快閃記憶體介面串列器-解串器的電氣成本，並將效能提升至更接近PCI-Express 5.0 x4 介面極限。

該控制器提供14.5 GB/s 的連續速度，比去年的E26 Max14um 版本有所提升。該公司展示了裸露的E28 控制器晶片和基於它的參考設​​計SSD。除了驅動器缺乏任何冷卻解決方案外，沒有太多可報告的內容。採用E28 的量產SSD 仍需要散熱器來達到最佳效能，儘管它們的運作溫度不會像採用E26 的驅動器那麼高。該公司沒有為這款驅動器提供任何性能演示設備。

在CES 上，Phison 也宣布其中檔NVMe Gen 5 無DRAM 控制器E31T 獲得了對美光新G9 系列NAND 快閃記憶體的支援。 Phison 展示了一款未發布的Crucial P510 SSD，它將G9 快閃記憶體與E31T 的最新版本相結合，並具有相當薄的被動冷卻解決方案。為這款驅動器設定了一個演示站，展示了它的讀取速度為11 GB/s，寫入速度為8.6 GB/s，以及使用QD32 的4K 隨機存取讀取速度為5.9 GB/s。

最後，我們看到了Pascari D205V，這是一款帶有U.2 Gen 5 x4 介面的2.5 吋企業級SSD。該驅動器的最大容量高達122.88 TB，這是使用QLC NAND 快閃記憶體實現的。在效能方面，您會看到連續讀取速度高達14.6 GB/s，連續寫入速度高達3.2 GB/s；4K 隨機讀取高達300 萬IOPS，4K 隨機寫入高達35，000 IOPS。因此，該驅動器針對具有溫熱資料的雲端儲存資料中心應用進行了最佳化。